실험8예비[1].RAM

소개

논리회로 실험 보고서 입니다. 깔끔하고 상세하게 잘 설명해놓았구요 pspice결과도 다 첨부했습니다. A+확신합니다.

목차

없음

본문내용

1. 목 적
반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을
실험을 통해 확인한다.
2. 이 론
RAM(Random Access Memory) 정보를 저장하거나 불러올 수 있는 소자로 여러 개의 R-S F/F을 사용해서 만들어진다. 각각의 F/F은 외부의 제어 신호에 따리 동작하게 된다. RAM의 특성은 일반적으로 휘발성이라는 점이다. 전원이 공급되지 않으면 저장된 데이터는 지워지게 된다. 비휘발성 메모리도 존재하는데, 일상 생활에서 많이 쓰는 USB에 내장된 Flash Memory가 대표적이다.
RAM의 내부 구조 n bit로 이루어진 m개의 데이터를 저장한다고 할 때, 이 RAM은 mxn개의 Binary cell과 각 Cell을 선택하기 위한 Address 회로로 구성된다. Address decoder에 의해 Memory Cell을 접근하게 되고, Write 또는 Read 작업을 수행하는 것이다. 각 Memory Cell으로 Latch 회로를 사용하면 SRAM이라 부르고, 정보를 Capacitor에 저장하는 경우 DRAM이라 부른다.
그림 1 . RAM Block Diagram
SRAM Cell RS Latch회로에 각 Bit 정보를 저장하는 방식으로 Select핀과 B(쓰기), B_N(읽기)의 값에 따라 데이터를 기록하거나 지우는 과정을 거친다. 예를 들어서 Select핀이 ‘H’일 때 B가 ‘H’가 되면 데이터가 기록되고 B_N가 ‘H’가 되면 데이터가 지워진다. 마찬가지로 Select가 1일 때 Q의 값을 읽어서 출력으로 내보낸다.

참고자료

· 없음