MOSFET DC Characteristic and Bias 예비레포트

소개

전자회로실험1 5장 예비레포트입니다.

목차

없음

본문내용

실험목적
포화 영역에서 동작하는 증가형(enhancement-type) 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
증가형 MOSFET을 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.
실험 부품 및 사용기기
0-15 직류 전원공급장치
브레드 보드
2현상 오실로스코프
VOM
저항 100 2개, 6.8 2개
MOS CD4007
실험 1의 이론요약
MOSFET의 소자구조
[그림 1]
MOSFET은 기존의 2단자소자와 달리 3단자로 이루어져있으며, 두 단자 사이의 전압을 사용하여 제3의 단자에 흐르는 전류를 제어하는 것이다. 이를 통해 제어된 전원을 실현할 수 있으며 스위치회로나, 논리 반전기 회로를 실현할 수 있다. 또한 단일 실리콘 칩에 제조되는 회로인 집적회로(IC) 설계에 많이 사용된다.
MOSFET은 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)의 약자로 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터라 불린다. 그림 1은 n채널 증가형 MOSFET의 물리적인 구조를 나타낸다. 이 트랜지스터는 p-type substrate위에 제작되며, 고농도로 도핑된 source와 drain영역이 기판에 만들어져있다. 이 사이에 silicon dioxide층이 있으며, 이 산화층위에 소자의 gate 전극을 형성하고 있다. 이렇게 3단자 gate, drain, source로 이루어져있다. p-type substrate과 drain, source가 연결된 부분에서는 pn접합의 diode와 같은 형태를 형성하여 항상 역바이어스가 형성되어있고, 두 에노드가 서로 맞댄 형태를 띄어 drain에서 source로 전류 전도를 막는다.

참고자료

· 없음