전자회로실험 결과보고서

소개

전자회로실험 결과보고서입니다.
결과값과 파형이 포함되어 있습니다.

목차

I. 실험목표
Ⅱ. 부품과 실험기기
Ⅳ. 실험 절차

본문내용

실험#7
저주파 및 고주파 Single BJT 증폭기
I. 실험목표
이 단원의 목적은 두 가지다. capacitor-coupled BJT 증폭기의 저주파 특성을 조사한 후 BJT 소자의 고주파 특성을 알아본다. 주로 discrete-circuit 과 integrated-circuit (IC) 설계에 직접적인 연관이 있는 고주파 특성에 중점을 두고 실험한다.
Ⅱ. 부품과 실험기기
실험을 하기 위해서는 먼저 discrete BJT 인 2N2222에 대해 알아야 한다. 핀 배치는 그림 7.1 과 같고, 1개가 필요하나 예비로 하나 정도 더 준비하자. 실험 #6 에서 npn계열인 CA3046, 2N3904도 이용 가능하다. 필요한 부품은 여러 종류의 저항과 특별한 정확성이 요구되지 않는 10kΩ 저항, 0.1 와 1㎌(low-inductance monolithic ceramic)과 100㎌(polarized electrolytic or tantalum), 정확한 값을 갖는 2개의 1000 pF, 100pF mica capacitor가 필요하다.
Figure 7.1 BJT Base Diagram
Ⅳ. 실험 절차
기본 Common-Emitter(CE) 회로
일반적으로 이번 실험에서는 고주파 동작에 중점을 두게 되므로 저주파 동작은 비교적 제한적으로 실험한다. 특히 한 개의 bypass capacitor와 output-coupling capacitor가 있는 그림 7.2가 기본 회로로 쓰일 것이다. BJTs와 FETs(또는 JFET or MOSFET)의 주요 차이점은 유한한 값에 의해 저주파대역에서 입력저항에 큰 차이가 있고, 두 번째로 같은 바이어스 전류 조건에서 BJT의 이 훨씬 큰 점을 들 수 있다. 큰 전압이득을 유지하기 위해서는 큰 이 필요하고, 특히 저주파에서 이득 감소를 막기 위해서는 emitter-bypass capacitors 값이 커야 한다. 이번 실험으로 위 사항들을 알 수 있을 것이다.
그림 7.2 기본적인 CE BJT 증폭기
E

참고자료

· 없음