Thermal Oxidation -Furnace

소개

본자료는 Thermal Oxidation의 기초에 관한 발표자료입니다.

목차

Oxidation Definition
Classification of Oxidation
Principle of Oxidation
Function of Oxide layers
Oxidation Process
Equipment for Si Oxidation

본문내용

열 산화법
Thermal oxidation
전기화학적 산화법
anodization
화학기상증착법(CVD)
chemical vapor deposition
Type of Oxidation
열 산화법
Thermal oxidation
서 가장 기본적이며 자주 사용되는 공정
반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용
200 ℃ : anodization : ethylene glycol + KNO3 vacuum deposition : SiO2 , Si + O2 sputtering : 용융석영이 음극표적재료로 사용 plasma deposition
600 ℃ : SiH4
~400 ℃ SiO2 for Passivation
doped SiO2 by B2H6 , PH3
900 ℃ :TEOS (tetra-ethylorthosilicate) SiH4 or SiCl4+CO2
1200 ℃ : Thermal Oxidation
ted Oxidation
Classification of Oxidation - Temperature
Classification of Oxidation - Method
Furnace
Wet Oxidation
Dry Oxidation
수증기를 이용 산화막 증착
높은 성장률
온도 : ~1100℃ 에서 진행
산화막 두께 : ~1.2μm
두꺼운 두께의 산화막 제조 시
O2 이용 산화막 증착
성장률
온도 : ~1100℃ 에서 진행
산화막 두께 : ~0.1μm
낮은 두께의 산화막 제조 시
MOSFET, HBT, HEMT 등의 소자에서 Gate Oxide로 사용
CVD
LP CVD (Low Pressure Chemical Deposition)
SiH4 / N2O Gas 혼합해서 산화막 증착
LTO (Low Temperature Oxide)라 불림
~500℃에서 증착
낮은 증착률
수율이 낮은것이 단점

이하생략

참고자료

· Introduction to Microelectronic Fabrication
· - Richard C. Jaeger
· 반도체 공정 기술
· - 황 호 정
· Thermal Oxidation
· - 경북 대학교 공성호
· Microelectronics processing course
· - J.Salzman – Fall 2006