주기억장치

소개

주기억장치

목차

기억장치를 접근 방식에 따라 분류
인터리빙기억장치, 연상기억장치, 가상기억장치, 캐시 메모리
RAM과 ROM의 종류 및 특징

본문내용

기억장치를 접근 방식에 따라 분류

직접 접근 기억 장치(DASD : Direct Access Storage Device)
임의 접근 기억 장치(RASD :Random Access Storage Device) 라고도 한다. 직접 접근 기억 장치는 기억된 정보에 일종의 주소가 부여되어 있어서 정보에 접근할 때 기억된 위치나 순서에 상관없이 기억 장소에서 직접 주소에 의하여 정보에 접근하여 데이터를 기록하거나 읽어올 수 있는 기억 장치로 모든 정보에 대한 접근시간(access time)이 어느정도 일정한 장치를 말한다. 그리고 직접 접근 기억 장치는 순차 접근도 가능하다. 직접 접근 기억 장치는 빠른 반면 가격이 비싼 특징이 있다. RAM, 자기 디스크, 자기 드럼, 자기 코어 등의 대부분의 기억 장치가 이에 해당한다.

순차 접근 기억 장치(SASD : Sequential Access Storage Device)
순치 접근 기억 장치는 기억된 정보에 주소라는 개념이 적용되지 않기 때문에 어떠한 정보에 접근하려면 처음부터 혹은 어떠한 기준에서부터 순차적으로 정보에 접근하여 원하는 정보를 기록하거나 읽어올 수 있을 때까지 순차적인 접근을 반복해야 되는 기억 장치로 자기 테이프가 이에 해당한다. 순차 접근 기억 장치는 속도가 느린 단점이 있다.

인터리빙기억장치, 연상기억장치, 가상기억장치, 캐시 메모리

인터리빙, 연상, 가상 기억장치와 캐시 메모리는 고성능 기억장치로 고성능 기억장치는 중앙처리장치의 처리 속도와 주기억 장치의 접근 속도의 차이를 해결해 줄 수 있는 메모리이다. 일반적으로 주기억장치의 사이클 타임은 중앙처리장치의 사이클 타임보다 5배 정도 길어 중앙처리장치는 주기억 장치의 접근을 위해 오래 기다려야 한다. 주기억장치는 접근 시간과 기억 용량의 관점에서 성능을 개선시킬 수 있는 고성능 기억장치를 사용 한다.

인터리빙기억장치(Interleaving Memory)
CUP에서 연속된 여러 명령을 차례대로 실행하기 위해서는 주기억장치에서 앞의 명령부터 차례대로 액세스해야한다.

참고자료

· 없음