다이오드 반파정파(피스파이스)

소개

다이오드 반파정파

목차

요약문
실험내용
실험결과, 문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항

본문내용

요약문
우선 2주차와 3주차의 결과를 바탕으로 알고 있어야 한다. Threshold Volt 뿐만 아니라 다이오드의 기본적인 배경지식을 바탕으로 전파 및 반파 정류를 확인 할 수 있었다. 실험 내용에서 차례로 살펴 보겠지만 반파의 경우는 음의 값은 제외하고 전파의 경우에는 음의 값을 반전 시켜서 출력한다. 이러한 기능은 AC의 값을 DC 값 化 시킬 때는 값이 증가 하기 때문에 Battery충전 등에 사용된다.

실험내용
●【Threshold Volt】



2주차 실험에서 알아 보았듯이 Si Diode의 경우에는 0.6~0.7V정도가 Threshold Volt에 해당한다.


2주차 실험에서 알아 보았듯이 Si Diode의 경우에는 0.3~0.4V정도가 Threshold Volt에 해당한다.

이번 파형은 입력 파형을 함께 표현하지 않아서 비교가 쉽지는 않지만 입력의 peak값이 8V인 반면에 출력 전압은 7.78V였다. 이 값은 Threshold Volt 전압을 제외한 부분이다. 정확히 말하면 Diode에 전압이 걸리게 되면서 Short와 더불어서 저항에 걸리는 전압을 뺀 결과이다.
그리고 반파 정류의 회로이기 때문에 입력 값이 음의 값인 경우는 출력을 하지 않는다.


이번 실험은 peak value가 7.78V가 출력 되었다.
Si Diode이기 때문에 Threshold Volt를 제외하고 출력 될 것이라 생각했지만 그보다 더 큰 전압이 출력되었다. Peak Value의 경우 Simulation에서는 7.38V 정도 측정 되었다. 측정 된 값으로만 본다면 실험했던 Diode는 마치 Ge Diode처럼 작동한다.

처음에 전압이 양의 방향으로 증가 할 때는 모든 전압이 다이오드에 걸린다. 그 이유는 역방향 다이오드는 저항이 ∞이기 때문이다. 계속 그렇게 모든 전압이 다이오드에 걸리다가 sin이 반전 되기 시작하면 전압이 정방향으로 걸리기 시작한다. 그런데 Si의 경우 0.6~0.7V가 Threshold Volt이기 때문에 그 전압이 넘어간 후부터는 전류가 통하는 2.2K의 저항보다 훨씬 작은 저항소자에 불과하다.

참고자료

· 없음