[공업화학실험] 식각실험 결과보고서

소개

정말 열심히 작성한 보고서 입니다!! 유용하게 사용하세요!^^

목차

1. Pattern을 형성하기 위한 각각의 공정 후 모양 (크게 두 단계를 거쳐야 합니다.)
1) 패턴1 만들기
2) 패턴2 만들기

2. 각 단계의 그림 설명

본문내용

2. 각 단계의 그림 설명
**before explain : 이번 결과보고서에 써야할 패턴을 형성하는 방법은 한 가지만 있는 것이 아닙니다. 저러한 패턴을 형성하기 위해서는 총 2번의 식각 과정을 거치게 되는데 이 과정에서 사용되는 포토리지스트의 종류에 따라서 총 8가지의 패턴형성 방법 가짓수가 나오게 됩니다. P-P , P-N, N-P, N-N 그리고 어떠한 패턴을 먼저 형성하느냐에 따라서 2가지의 방법가지수가 나오므로 4*2=8가지가 나오게 됩니다. 총 8가지 방법에 따라 마스크의 종류가 달라 지게 됩니다. 물론 두 개씩은 같은 마스크를 사용해도 됩니다. 제가 이번 결과보고서를 쓰면서 사용한 방법은 P-N방법입니다. 즉 처음에 식각을 할 때에는 Positive 감광제를 사용하고 나중에 식각을 할 때에는 Negative 감광제를 사용 한 것입니다. 그러나 어떤 루트를 갔느냐에 따라 식각 순서가 달라지지만 각각 개별 공정의 원리는 동일 합니다. 그러면 지금부터 각각의 공정을 간략하게 설명하겠습니다. 위에 그림에서는 크게 2가의 식각으로 나누었습니다. 그러나 첫 번째 과정과 두 번째 과정은 positive 감광제를 사용했느냐 negative 감광제를 사용했느냐만 다를 뿐이지 나머지 과정은 같은 과정을 되풀이 하는 것 이므로 이 부분만 나누어서 설명하고 나머지 과정은 순서대로 설명을 하겠습니다.

1) 산화막의 성장 : 1000℃정도의 온도로 제어하며 확산로에 약 30분간 넣어둔다. 이때 산소가스나 수증기로 산화막을 형성시게 되는데 실리콘(Si)과 산소(O2)가 만나 SiO2가 되게된다.

참고자료

· 없음