실험10 트렌지스터

소개

1. 기초 이론
트랜지스터 :3 요소 소자
반도체에 대한 과학적 흥미에 의해 트랜지스터의 개발이 이루어지게 되었다. 트랜지스터의 장점은 작고， 가벼워서 장치의 소형화를 가능하게 하고, 낮은 전압에서도 동작하고 전력소모가 적다는 것이다. 또 트랜지스터는 예열시간이 필요 없어 전력이 공급되면 즉시 동작한다. 트랜지스터는 회로에 연결되는 단자의 수도 적다. 트랜지스터의 단점은 열에 대한 민감도이나 반면에 트랜지스터 자체가 열을 많이 내지 않는 다는 것은 장점이다.
트랜지스터는 여러 종류가 있다. 트랜지스터는 제조되는 기본 재료에 따라 분류되기도 한다. 이런 범주에는 게르마늄과 실리콘 트랜지스터가 있다. 대부분의 트랜지스터는 이제 실리콘으로 제작된다. 트랜지스터는 그들이 제조되는 공정에 따라 분류될 수도 있다. 이런 유에는 성장접합， 용융접합， 표류장(drift field)， 메사(mesa), 에피텍셜 (epitexial), 메사. 플레나(mesa and planar) 트랜지스터， 점접촉(point-contact) 트랜지스터 등이 있다. 트랜지스터는 전력을 소모하는 능력에 따라 분류될 수도 있다. 저전력형(50mW 이하)에서부터 고전력형(2W 이상)까지 사이의 넓은 범위에 걸쳐 여러 종류가 있다.
트랜지스터는 여러 가지 다른 형태와 크기로 생산된다(그림 10-1을 참조). 최근에 는 트랜지스터를 설치하는 방식과 기본 배치에 의해서 다양하게 구분된다. 어떤 것은 소켓으로 설치된다. 소켓은 트랜지스터의 물리적인 위치를 확고하게 한다. 어떤 트랜지스터는 유연한 단자를 가지고 있어서 직접 납땜에 의해 회로에 연결된다.
컬렉터 바이어스와 전원값
전원을 넣기 전에 컬렉터에 대한 바이어스 전압의 극성이 올바른가 확인한다. 컬렉터는 역 바이어스 되어야 한다. 더욱이 컬렉터와 이미터에 걸리는 전압이 정해진 값을 넘으면 안 된다. 그러므로 회로에 전원을 공급하기 전에 이미터와 컬렉터에 걸리는 전 압을 측정하여 조정하여야 한다.
회로 연결에 대한 검사

목차

1. 기초 이론
트랜지스터 :3 요소 소자
전압측정
저항측정
2. 실험 목적
3. 실험 방법

본문내용

1. 기초 이론
트랜지스터 :3 요소 소자
반도체에 대한 과학적 흥미에 의해 트랜지스터의 개발이 이루어지게 되었다. 트랜지스터의 장점은 작고， 가벼워서 장치의 소형화를 가능하게 하고, 낮은 전압에서도 동작하고 전력소모가 적다는 것이다. 또 트랜지스터는 예열시간이 필요 없어 전력이 공급되면 즉시 동작한다. 트랜지스터는 회로에 연결되는 단자의 수도 적다. 트랜지스터의 단점은 열에 대한 민감도이나 반면에 트랜지스터 자체가 열을 많이 내지 않는 다는 것은 장점이다.
트랜지스터는 여러 종류가 있다. 트랜지스터는 제조되는 기본 재료에 따라 분류되기도 한다. 이런 범주에는 게르마늄과 실리콘 트랜지스터가 있다. 대부분의 트랜지스터는 이제 실리콘으로 제작된다. 트랜지스터는 그들이 제조되는 공정에 따라 분류될 수도 있다. 이런 유에는 성장접합， 용융접합， 표류장(drift field)， 메사(mesa), 에피텍셜 (epitexial), 메사. 플레나(mesa and planar) 트랜지스터， 점접촉(




2. 실험 목적
트랜지스터의 바이어스에 대하여 자세히 이해 한다.
이미터-베이스 회로에서 전류에 대한 순방향(정상)과 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
이미터-베이스 회로에서 컬렉터 전류에 대한 역방향 바이어스 효과를 측정한다.
ICBO를 측정한다.
3. 실험 방법
1. 그림 10-9 회로 (공통 -베이스 증폭기) 를 구성한다. 입력전류(IE)는 이미터 단자로 흘 러 들어가는 반면 출력전류(IC)는 컬렉터회로에서 측정된다. R2를 최대 저항으로 맞춰둔 다. 이것은 전원이 연결될 때 최소의 이미터 바이어스를 걸게 할 것이다. R1은 이미터 회로에서 전류제한 저항이다. R3는 컬렉터회로에서 전류제한 저항이다.
2. 스위치 S1과 S2를 닫고 에미터 컬렉터회로의 전류를 관찰하고 측정한다. IE와 IC 사이의 어떤 차이를 찾기 위해 정확하게 측정한다. (VEB, VCB, VCE 전압도 측정) 표 10-1에 기 록한다.
3. 최대 에미터 바이어스를 위해 R2를 최소 저항값으로 맞춘다. (IE, IC, VEB, VCB, VCE 측 정 기록)
4. S2를 열어서 에미터 - 베이스 회로를 개방한다

참고자료

· 없음