[기초 전자공학 실험] BJT 특성 결과 레포트

소개

[기초 전자공학 실험] BJT 특성 결과 레포트

기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 과정
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) α와 β의 변화
5. 실험 결과
결론 및 고찰

본문내용

1] 실험 목적
1. DMM를 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
2. 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.
3. 트랜지스터의 α와 β값을 결정한다.
[2] 실험 장비
계측장비 : DMM
부품 : 저항( 1kΩ, 330kΩ, 5kΩ 전위차계, 1MΩ 전위차계 )
트랜지스터(2N3904)
공급기(직류 전원 공급기)
[3] 이론 개요
BJT ( Bipolar Junction Transistors ) = 전류를 증폭할 수 있는 부품
- 트랜지스터의 구조
1) PNP형: N형 반도체를 P형반도체 사이에 접합 기호:
2) NPN형: P형 반도체를 N형반도체 사이에 접합 기호:
- 이 세 부분의 배열에 따라,
① 에미터(E): 에미터 베이스 접합은 순방향 전압, PNP형 트렌지스터에서 P형 에미터는 베이스의 접합에 정공 전하를 공급한다. 화살표가 에미터에서 베이스로 향하고 있으면 PNP형, 베이스에서 에미터로 향하고 있으면 NPN형이다.
② 콜렉터(C): 콜렉터는 베이스와 접합으로부터 전하를 제거, 콜렉터 베이스 접합은 역방향 전압이 흐르며 이러한 극성은 다수 캐리어가 콜랙터에서 베이스로 흐르지 못하게 하지만 베이스와 콜렉터 사이의 역전압은 에미터에 의해서 공급된 전하를 끌어당기게 된다.
③ 베이스


[5] 결론 및 고찰
Q) β = α / (1-α), β = IC / IB 인데, 두 값이 차이나는 이유는?
A) IE = IC + IB 식에서도 알 수 있듯이, IB는 그 값이 미세하여 생략하는 경우도 있다. α = IC / IE, β = IC / IB 로써 IB가 관계하는 값인데, 이론 식으로 보면 문제의 관계는 성립하지만, 실제 미세 측정이 어려우므로 차이가 나게 된다.
조원들 개인적으로, 이번 실험의 목적은 DMM를 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정하고 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사하고 트랜지스터의 α와 β값을 결정하는 것으로 이론시간의 모호했던 개념을 명확히 하는 것이었다.
실험에 앞서 가장 먼저 해야 할 것은 트랜지스터의 단자 식별이다. 측정 결과, 2번째 단자를 양의 리드에 연결하였을 때 미터 값이 낮게 나왔으므로 중앙단자가 베이스이며, 실험에 사용하는 트랜지스터가 npn형인 것을 알 수 있었다. 또한 양의 리드를 베이스 단자에 연결하고, 음의 리드를 각 다른 단자에 연결하였을 때 1번째 단자가 3번째 단자보다 낮게 나왔으므로 1번째 다리가 컬렉터인 것을 알 수 있었다.
트랜지스터의 특성을 결정하기 위해 회로를 구성한 뒤, 입출력에 관계된 전압을 조절하여

참고자료

· 없음