[전자회로실험](예비,결과보고서)실험7. Passive Loaded MOS Amp를 이용한 DC 및 소신호 특성

소개

전자회로실험과목에서 실험7. Passive Loaded MOS Amp를 이용한 DC 및 소신호 특성의예비와 결과레포트입니다.
전체적으로 시뮬과 실험결과(사진)을 첨부하였고 이론과 실험내용에 이만큼 자세한 자료가 없을것이라고 생각합니다. 후회안하실겁니다.
pspice도 깔끔하게 시뮬레이션을 돌려서 자료의 질이 높습니다.

목차

□ 실험목적
□ 기초 이론
□ PsPice 시뮬레이션 결과
□ 실험결과
□ 비고 및 고찰

본문내용

□ 실험목적
MOSFET에 저항을 직렬연결 하여 MOSFET의 게이트에 인가된 DC전압은 FET의 동작 점을 지정하게 되며 더불어 인가된 작은 크기의 전압 변화 즉 ac 신호는 FET의 동작 점에서의 전압-전류의 기울기에 의해 소신호의 증폭이 발생하여 FET의 출력 단자에 나타나게 된다. 실험에서는 이에 따른 소신호의 증폭비율 를 측정하여 Amplifier란 무엇인지를 이해하도록 한다.

□ 기초 이론

입력전압(게이트 전압)이 MOSFET의 문턱전압 보다 낮으면 Cut-Off 영역으로서 Drain에 걸리는 전압만큼 걸리게 되고 문턱전압을 넘어서게 되면 Saturation 영역이 된다. 그리고 (B점)이 되면 Triode영역으로 넘어가게 된다. 그리고 A점에서 B점 사이의 중간 지점이 정적점(Quiescent Point)라고 하는데 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위한 지점이기도 하다. 증폭기로서 사용이 되는 경우에는 거의 완전히 선형적인 출력이 나오게 된다. Q에서 증폭기의 전압 이득인 계수 는

참고자료

· 없음