이원계 합금의 제조 및 분석

소개

이원계 합금의 제조 및 분석에 관한 리포트입니다
도움이 되셨으면 합니다.

목차

(1)실험목적
(2)실험이론
(3)실험방법
(4)실험결과
(5)실험고찰

본문내용

1. 목적
본 실험에서는 융점이 낮은 이원계 합금을 직접 제조하고, 유도결합플라즈마 방출 분광법(ICP-AES)을 이용하여 합금의 조성을 확인한다. 또한 재료물리학, 고체화학, 고분자 화학 등의 재료분야에서 폭넓게 이용되고 있는 시차열분석에 대하여, 그 원리와 기초지식을 학습할 수 있도록 지도한다.

2. 이론
유도결합플라즈마 방출분광법(Inductively Coupled Plasma - Atomic Emission Spectroscopy)
시료를 고주파유도코일에 의하여 형성된 아르곤 플라즈마에 도입하여 6,000~8000K에서 여가된 에너지가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정하여 원소의 정성 및 정량분석에 이용하는 방법이다. ICP는 Ar가스를 플라즈마 가스로 사용하여 수정발진식 고주파발생기로부터 발생된 주파수 27.13MHz영역에서 유도코일에 의하여 플라즈마를 발생시킨다. ICP의 토치는 3중으로 된 석영관이 이용되며 제일 안쪽으로 시료가 운반가스(Ar, 0.4~2/min)와 함께 흐르며, 가운데 관으로는 보조가스(Ar, 플라즈마가스, 0.5~2/min), 제일 바깥쪽 관에는 냉각가스(Ar, 10~20/min)가 유입되는데 토치의 상당부분에는 물을 순환시켜 냉각시키는 유도코일이 감겨있다. 이 유토코일을 통하여 고주파를 가해주면 고주파가 Ar 가스 매체 중에 유도되어 플라즈마를 형성하게 되는데 이때 테슬라코일에 의하여 방전하면 Ar 가스의 일부가 전리되어 플라즈마가 점등된다. 방전 시에 생성되는 전자는 고주파 전류가 유도코일을 흐를 때 발생하는 자기장에 의하여 가속되어 주위의 Ar가스와 충돌하여 이온화되고 새로운 전자와 Ar이온을 생성한다. 이와 같이 생성된 전자는 다시 Ar가스를 전리하여 전자의 증식작용을 함으로서 전자밀도가 대단히 큰 플라즈마 상태를 유지하게 된다. Ar 플라즈마는 토치 위에 불꽃 형태(직경 12~15mm,높이 약 30mm)로 생성되지만 온도, 전자밀도가 가장 높은 영역은 중심축보다 약간 바깥족(2~4mm)에 위치한다. 이와 같은 ICP의 구조는 중심에 저온, 저전자 밀도의 영역이 형성되어 도넛 형태로 되는데 이 도넛 모양의 구조가 ICP의 특징이다. 그림 1은 플라즈마 발생부의 모식도를 나타낸다.

참고자료

· 없음