mo-fet(모스펫) 공통 소스 증폭기

소개

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1) MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
2) FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.
3) MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 측정한다.
그리고
멀티심 예상 결과값.

목차

[실험목적]
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
 증가형 MOS-FET와 공핍형 MOS-FET는 ?
 J-FET 바이어스
 전압분압 바이어스
 자기 바이어스
 MOS-FET 바이어스
 MOS-FET 공통 소스 증폭기회로와 동작
[실험과정]
공통 소스 증폭기
탐구 실험
[실험 예상결과]
공통 소스 증폭기

본문내용

[기초이론]
 MOS-FET란?
MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)를 흔히 줄어 MOS(Metal Oxide Semiconductor)라고 부르며, 전계효과트랜지스터 즉 FET(Field Effect Transistor)의 한 종류이다.
FET란 전기장(Electric Field)을 통해 소자의 전기적 특성을 제어할 수 있는 트랜지스터를 말한다. 이러한 MOS에는 크게 n-MOS와 p-MOS 두가지로 나눌 수 있는데, 이것은 트랜지스터에서 전류를 흐르게 하는 캐리어가 전자(electron)이냐 정공(hole)이냐에 따라 전자(negative charge)가 트랜지스터 전류에 큰 기여를 하는 소자를 n-MOS 또는 n-channel MOS라고 하며, 정공(positive charge)인 경우 p-MOS 또는 p-channel MOS라고 한다.


 증가형 MOS-FET와 공핍형 MOS-FET는 ?
MOS-FET의 게이트는 매우 작고 뛰어난 특성을 갖는 커패시터이며, 채널을 통한 전도는 게이트와 소스사이에 인가된 전압에 의하여 제어된다. 그러므로 MOS-FET의 입력전류는 J-FET에 비한다면 입력전류와 대립이 되는 커패시터의 누설전류로서, 이는 역방향바이어스된 p-n접합의 누설전류이다. 따라서 MOS-FET의 입력임피던스는 J-FET에 비하여 수십배 또는 그 이상의 큰 값을 갖는다.
MOS-FET의 Gate는 절연물질의 실리콘(SiO)층을 채널전면에 걸쳐서 침착시키는데 이러한 얇은 실리콘(SiO)층 위에 금속물질이 놓이게 된다. 그림 1 은 대표적인 MOS-FET의 구조형태를 보인 것이다.

참고자료

· 없음