고주파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 SiO2 버퍼층이 있는 polyethylene terephtalate 위에 성막된 (In2O3)77(ZnO)23-x(SnO2)x, x =4, 6, 8, 10 wt. 박막의 투명전도 특성

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 51권 / 5호 / 385 ~ 390페이지
· 저자명 : 우병재, 김화민, 안정선

초록

Polyethylene terephthalate (PET) 기판 위에 이온-건 보조 스퍼터링
방법에 의해 SiO$_2$ 완충층을 증착하고, 그 위에 고주파 마그네트론
스퍼터링 방법을 사용하여,
(In$_2$O$_3$)$_{77}$(ZnO)$_{23-x}$(SnO$_2$)$_x$, x = 4, 6, 8, 10
wt.\% 의 조성을 갖는 indium zinc tin oxide (IZTO) 박막들을
성막하였다. 성막된 박막들에 대해서는 비저항, 캐리어 농도, Hall
이동도 그리고 다양한 습열(moist heat) 환경에서의 전기적 안정성을
비롯하여 광학적특성과 구조적 특성을 조사하였다. PET와 IZTO 박막
사이에 삽입된 SiO$_2$ 완충층은 IZTO 박막의 표면조도 (surface
uniformity)와 기판에 대한 부착력을 향상시켜 주는 것이 확인되었다.
그리고 상온의 순수한 Ar 가스 분위기에서 성막된 IZTO 박막의 조성비에
따른 전기적 특성으로는 x = 6 wt.\%일 때, 4.7$\times$10$^{-4}$
$\Omega \cdot$cm의 가장 낮은 비저항과 3.2$\times$
10$^{20}$cm$^{-3}$의 가장 큰 전하운반자 농도를 비롯하여 습열과 같은
다양한 환경하에서도 가장 우수한 전기적 안정성을 나타내었으며,
표면조도 또한 1 nm 이하의 매우 균일한 특성을 갖는 것이 확인됨에 따라
플랙시블 투명전도기판에 응용할 수 있는 충분한 저저항과 높은 투과율을
갖는 새로운 TCO (transparent conductive oxide)물질로써
(In$_2$O$_3$)$_{77}$(ZnO)$_{17}$(SnO$_2$)$_6$ 박막을 제시한다.

참고자료

· 없음