자외선 활성화 원자층 성장 기술을 이용한 상온에서 TiO2 박막의 제조 (Fabrication of TiO2 Thin Films Using UV-enhanced Atomic Layer Deposition at Room Temperature)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 19권 / 2호 / 91 ~ 95페이지
· 저자명 : 이병훈, 성명모

초록

상온에서 고품질의 TiO2 박막을 제조하기 위하여 titanium isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4, TIP]와 H2O을 이용한 자외선 활성화 원자층 증착(UV-enhanced atomic layer deposition: UV-ALD) 기술을 개발하였다. UV-ALD 기술은 상온에서 자체제어 표면 반응(self-limitting surface reaction)을 통해 균일하고 고품위 등방 특성을 갖는 순수한 TiO2 박막 증착이 가능하였다. ALD 반응 시 조사되는 자외선은 Si 기질 위에 우수한 접착력을 가지는 고품질의 TiO2 박막을 얻는데 효과적이었다. UV-ALD 기술은 높은 단차비(aspect ratio)를 가지는 trench 기질 위에 균일한 TiO2 박막을 증착하는 데에 적용되었다.

영어초록

A UV-enhanced atomic layer deposition (UV-ALD) process was developed to deposit TiO2 thin films on Si substrates using titanium isopropoxide(TIP) and H2O as precursors with UV light. In the UV-ALD process, the surface reactions were found to be self-limiting and complementary enough to yield a uniform, conformal, pure TiO2 thin film on Si substrates at room temperature. The UV light was very effective to obtain the high-quality TiO2 thin films with good adhesive strength on Si substrates. The UV-ALD process was applied to produce uniform and conformal TiO2 coats into deep trenches with high aspect ratio.

참고자료

· 없음