1차원 나노구조 버퍼층을 이용하여 성장한 GaN 에피층의 특성분석 (Characteristic Analysis of a GaN Epilayer Grown on a GaN Buffer with One-dimensional Nanostructures)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 59권 / 6호 / 461 ~ 466페이지
· 저자명 : 신민정, 권해용, 문진영, 최윤정, 안형수, 이삼녕, 하동한

초록

Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 방법으로 일차원 GaN 나노구조를
형성하고, 이를 버퍼층으로 하여 이차원 GaN 에피층을 성장시켰다. GaN
나노니들과 나노로드 버퍼층은 600, 650℃에서 2시간씩
성장시켰으며, HCl:NH3의 유량비는 1:40 혹은 1:50으로 조절하였다.
GaN 에피층 또한 HVPE 방법으로 HCl:NH3 = 1:50의 유량비에서 5분,
20분 및 40분간 성장시켰다. HCl:NH3 = 1:50의 유량비에서 성장한
나노니들 버퍼층 위에 성장한 GaN 에피층이 HCl:NH3 = 1:50에서
성장한 나노로드 버퍼층 위에 성장한 GaN 에피층보다 표면이 더욱
평탄하였다. 주사전자현미경을 이용하여 GaN 에피층의 형태를
관찰하였으며, strain등의 결정학적 특성은 X-선 회절,
cathodoluminescence(CL)를 이용하여 분석하였다.

영어초록

We studied a GaN epilayer grown on a GaN buffer with one-dimensional
nanostructures by using a hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
facility. The nanoneedle- and nanorod-buffer layers were grown for 2
hours at growth temperatures of 600 and 650℃ and under
HCl:NH3 gas flow rates of 1:40 and 1:50, respectively. GaN
epilayers were grown for 5, 20, and 40 minutes under a HCl:NH3 gas flow rate of 1:50. The GaN epilayer grown on a nanoneedle buffer
was found to have better properties than that grown on a nanorod
buffer. The morphologies of the GaN epilayers were analyzed by using
scanning electron microscopy, and the crystal structures were
examined by using X-ray diffraction and cathodoluminescence.

참고자료

· 없음