다층 실리콘 나노결정의 광발광에 대한 이산화 실리콘 층의 효과 (Effects of Silicon-oxide Layers on the Light-emission Characteristics of Si-nanocrystal Multilayers)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 63권 / 11호 / 1213 ~ 1217페이지
· 저자명 : 윤종환

초록

본 연구에서는 플라즈마 화학기상 증착 (PECVD)에 의해 제조된 SiO2/SiO1.5/SiO2 구조의 다층 박막을 열처리하여 형성된다층 Si 나노 결정의 발광 특성을 연구하였다. 발광 세기는 SiO2 층의두께에 강한 의존성을 갖고 있음을 관측하였으며, 두께 3.5 nm의SiO2를 갖는 다층 박막으로부터 얻는 Si 나노 결정의 발광 세기는SiO1.5 단일층에 의한 Si 나노결정의 발광 세기에 비해 약 20배의높은 발광 특성을 나타내었다. 이러한 결과는 두 SiO2 층에 의한 Si 원자의 확산 제한에 기인한 것으로 이해된다.

영어초록

In this work, we have investigated the light emission characteristics of multilayered silicon nanocrystals produced by thermally annealing SiO2/SiO1.5/SiO2 multilayered structures grown by using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The light emission intensity was shown to strongly depend on the SiO2 layer’s thickness. The emission intensity of the multilayered Si nanocrystals prepared by using a 3.5-nm-thick SiO2 layer was found to be higher by a factor 20 than that of a single-layer sample of SiO1.5 without the SiO2 layer. The results are likely attributed to a limitation on the Si diffusion due to the two SiO2 layers.

참고자료

· 없음