ZnO 버퍼층위에 성장시킨 ZnO 나노 구조체의 성장특성 (Growth Properties of ZnO Nano-structures Grown on ZnO Buffer Layers)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 62권 / 3호 / 312 ~ 316페이지
· 저자명 : 주재형, 서성보, 장지원, 손선영, 김종재, 김화민

초록

본 연구에서는 RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 다양한 두께를갖는 ZnO 버퍼층위에 thermal evaporation방법으로 650℃에서30분간 ZnO 나노 구조체를 성장시켰다. ZnO 버퍼층위에 성장된 ZnO 나노구조체는 일반적인 금속촉매나 graphite 없이 자가 핵 성장방법에 의해상대적으로 저온에서 균일하고 밀도가 높은 나노구조체가 형성됨을확인하였다. 구조적인 특성 분석결과, 버퍼층이 없는 샘플과 비교해 ZnO 버퍼층을 갖는 ZnO 나노 구조체의 지름은 약 60 ~70 nm, 길이는 약300 ~500 nm로 측정되었으며, ZnO(00l) 우선 성장방향을나타내었다. 또한 성장된 ZnO 나노 구조체위에 RF-magnetron sputtering 방법으로 증착된 PTFE(polytetrafluoroethylene, Teflon) 박막은151˚의 초발수 특성을 가져 차세대 광전자 소자에서 오염방지코팅층으로의 응용 가능성을 가진다.

영어초록

In this study, ZnO nano-structures were grown for 30 min at 650℃ by using a thermal evaporation method on ZnO buffer layers with various thicknesses that had been grown using the RF magnetron sputtering method. We found that ZnO nano-structures were grown on ZnO buffer layers that had uniform and high densty nano-structures that had been grown at relatively low temperatures by using the self-core growth method without a conventional metal catalyst or graphite. From the structural properties, the ZnO nano-structures with the ZnO buffer layers showed widths of about 60 ~ 70 nm,lengths of about 300 ~ 500 nm, and a ZnO (00l) preferred orientation. Also, the PTFE (polytetrafluoroethylene, Teflon) thin film deposited by using the RF magnetron sputtering method on the ZnO nano-structures can be applied as an anti-pollution layer for next generation optoelectronic devices because it has a super-hydrophobic property of 151˚.

참고자료

· 없음