저온 AlN 중간층 삽입에 의한 Si (111) 기판위에 성장한 GaN 층의 특성 (Properties of GaN on a Si(111) Substrate with a LT AlN Interlayer Inserted)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 59권 / 4호 / 361 ~ 364페이지
· 저자명 : 김덕규, 김홍배

초록

유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si (111) 기판위에
GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 삽입에 따른 특성을 연구하였다.
저온 AlN 중간층 삽입함으로서 2차 GaN 층의 균열밀도는 300/cm에서
5/cm로 급격히 감소하였다. 또한, 저온 AlN 중간층 삽입으로 인해 (002)
X-ray rocking curve의 full width at half maximum은 680
sec-1에서 651 sec-1로 향상되었고 300 K에서 측정한
photoluminescence의 full width at half maximum도 52.4 meV에서 38.1
meV로 향상되었다.

영어초록

GaN layers were grown on silicon (111) substrates with
low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor
phase epitaxy, and the properties of the GaN layers with a LT AlN
interlayer inserted were investigated. The insertion of the LT AlN
interlayer decreased the crack density of the 2nd GaN layer from 300
/cm to 5 /cm, sensitively. Also, the full width at half maximum of
the (002) X-ray rocking curve was improved from 680 sec-1 to
651 sec-1, and the full width at half maximum of the bound
exciton line was improved from 52.4 meV to 38.1 meV in
photoluminescence measurements at 300 K.

참고자료

· 없음