PECVD에 의해 작성된 탄소계 박막의 전계전자방출특성에 대한 증착온도 의존성에 관한 연구

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 12권 / 1호 / 35 ~ 39페이지
· 저자명 : 류정탁, 백양규, M.Katayama, 이형주, K.Oura

초록

본 논문에서는 혼합가스 없이 메탄가스만을 사용하여 RF PECVD 방법으로 성장시킨 a-C 박막의 전계전자방출특성을 조사하였다. 또한 본 논문은 박막의 표면형태와 결정들의 결합구조가 어떻게 전계전자방출에 영향을 미치는가에 관하여 보고 된다, a-C 박막의 전계전자방출특성은 증착온도에 크게 의존함이 확인되었다. 실온에서 성장된 카본박막의 문턱전압은 20 V/ m이었다. 그러나 증착온도가 500 로부터 600 로 증가함에 따라 문턱전압은 17 V/ m에서 10 V/ m으로 감소하였으며 800 에서는 문턱전압이 8 V/ m로 크게 개선되었다. 박막의 표면형태, 구조적인 특징과 전계전자방출특성의 관계를 조사하기 위해서 라만 스펙트럼과 주사형전자현미경 (scanning electron microscopy : SEM)을 사용하였다. 박막의 물리적, 화학적 특성은 증착온도에 매우 의존하며 이들 특성들은 전계전자방출특성에 큰 영향을 미친다는 사실을 발견했다.

참고자료

· 없음