SiC(0001) 표면에 Ag 삽입으로 형성된 준자유지지 단일층 그래핀 (Quasi-free-standing Monolayer Graphene Formed by Ag Intercalation on a SiC(0001) Surface)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 64권 / 11호 / 1059 ~ 1063페이지
· 저자명 : Altaibaatar LKHAVASUREN, 김희동, 서재명

초록

산화막이 제거된 6H-SiC (0001)을 1150℃에서 가열하여 기판 전체를 덮는 C 원자로 이루어진 (6√3 × 6√3)R30˚ 구조의 영층을 만들었다. 이 영층 위에 Ag를 실온에서 증착하면 실온에서 벌써 부분적으로 삽입이 되어 영층과 기판 사이의 결합을 끊음으로써 준자유지지 단층 그래핀을 형성한다. 삽입된 Ag는 (√19×√19)R23.4˚ 구조의 육방 격자를 이루거나 구조가 없는 Ag 금속성 막을 형성한다. 기판 온도를 600˚C로 가열하면 삽입되지 않은 Ag 덩어리들과 함께 삽입된 Ag도 빠져나와서 표면에서 탈착하고 결국은 다시 준자유지지 단층 그래핀이 영층으로 되돌아간다.

영어초록

The (6√3 × 6√3)R30˚ zero layer (ZL) composed of C atoms was grown on an entire 6H-SiC (0001) surface by annealing the oxide-removed substrate at 1150˚C. When Ag was deposited on the ZL at room temperature (RT), the Ag was intercalated between the ZL and the substrate on partial areas and formed a hexagonal structure with a (√19× √19)R23.4˚ structure and/or a metallic film between the quasi-free-standing monolayer graphene and the substrate. When the substrate was annealed at different temperatures between RT and 550˚C, the intercalated area did not increase. When this substrate was annealed at temperatures above 600˚C, the ZL was recovered after de-intercalation and desorption of the Ag.

참고자료

· 없음