후속 열처리를 통한 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드 특성 연구 (The Study of a n-ZnO/p-Si(111) Heterojunction Diode with Post Thermal Annealing)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 56권 / 3호 / 309 ~ 313페이지
· 저자명 : 이종훈, 김홍승, 김준제, 오현성, 이주영, 장낙원

초록

p형 Si(111) 기판 위에 RF-스퍼터링 방법으로 ZnO 박막을 상온에서 증착
한 후 열산화로 장비를 이용하여 대기 분위기와 질소 분위기에서 각각
800 $^\circ$C의 온도로 열처리를 하였다. 열처리된 ZnO 박막은
포토리소그래피 공정을 통하여 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조
다이오드로 제작 하였다. 열처리 분위기에 따른 전기적 특성 및
다이오드의 특성을 알아 보기 위하여 홀 측정과 HP (4145B) 계측기를
이용하여 I-V 측정을 하였다. 또한 빛 방출 검출기를 이용하여
전압인가시에 빛 방출 여부를 조사 하였다. 열처리된 ZnO 박막은 열처리
분위기에 따라 다른 전기적 특성이 보였으며, n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합
구조 다이오드는 약 13 $\sim$ 15 V 전압 인가 시 약한 황색 빛을 방출
하였다.

영어초록

Zinc-oxide films were deposited on p-type Si (111) substrates by
using a radio-frequency (RF) sputtering system at room temperature
and were annealed at 800 $^\circ$C in N$_{2}$ and an air ambient for
1 hr. An n-ZnO/p-Si heterojunction diode was fabricated by using a
photolithograph method. The effects of the annealing ambient on the
electrical and the diode characteristics were investigated by using
Hall measurements and current - voltage measurements (HP 4145). In
addition, the variation of the light emission with the applied
voltage was examined by using a laser diode tester. The electrical
characteristics were definitely affected by the annealing ambient,
and the n-ZnO/p-Si diodes annealed in N$_{2}$ exhibited yellow light
at 13-15 V.

참고자료

· 없음