비정질 실리콘 MIS 소자에서 홀 캐패시턴스의 광 의존성 (Illumination Intensity and Spectral Dependence of the Hole Capacitance of Amorphous Silicon in Metal-insulator-semiconductor Structure)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 56권 / 5호 / 444 ~ 450페이지
· 저자명 : 방극정, 박혁렬

초록

수소화된 비정질 실리콘 MIS 소자에 대해 이 소자의 홀 C--V 특성이
소자에 조사되는 광 세기와 광 에너지에 따라 어떤 반응을 보이는지를
조사하였다. 조사에 사용된 시료는
Glass/ITO/n$^{+}$--a--Si:H/a--Si:H/a--SiNx:H/Mo 순서의 역방향 MIS
구조이다. 소자의 C--V 특성은 중간 주파수 (10 kHz $<$ f $<$ 1 Hz)의
미소교류신호를 출력시키고 또 입사신호의 위상선별이 가능한
주파수고정증폭기를 사용하여 측정하였다. 소자의 홀 C--V 특성은 조사
광의 세기에 강한 의존성을 갖는다. 또한 비정질 실리콘 소자의 홀
캐패시턴스 스펙트럼은 이 물질의 광흡수 스펙트럼과 비슷한 거동을
보인다.이상의 결과들은 적절한 모형을 통해 설명하였다.

영어초록

We have investigated the illumination-intensity and the spectral
dependences of the hole capacitance of hydrogenated amorphous
silicon (a-Si:H). The samples used are
Glass/ITO/n+-a-Si:H/a-Si:H/a-SiNx:H/Mo metal-insulator-semiconductor
(MIS)-type devices. The hole capacitance had a strong dependence on
the illumination intensity and showed spectral behaviors similar to
those of conventional optical absorption spectra of a-Si:H films.
These results can be explained through the defect-mediated
generation-recombination model, which was used to explain the
frequency and the temperature dependences of the hole capacitance of
a-Si:H MIS devices.

참고자료

· 없음