이온 빔 처리된 MoS2 정공 수송층을 사용한 유기 발광 소자의 편광 특성 (Polarization Characteristics of an Organic Light-Emitting Diode with an Ion-Beam-Treated MoS2 Hole Transport Layer)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 68권 / 2호 / 256 ~ 261페이지
· 저자명 : 최규진, 곽진석, 손종민, 백채원, 정승환, 박종구

초록

본 연구는 편광도가 높은 빛을 발광시키기 위하여 스퍼터링 방법(radiofrequency sputter, RF sputter) 으로 도포된 2차원 물질인 MoS2 정공 수송층을 직진성이 강한 저에너지 이온 빔으로 처리하여 만든유기 발광 소자의 편광 특성에 대한 결과를 보고한다. 이온빔 표면처리 방법은 기존의 표면처리 방법으로사용되어 온 러빙의 문제인 잔류물의 생성과 정전기 발생, 그리고 표면에 미세한 스크래치로 인한 고해상도디스플레이 적용에 어려움 등을 극복할 수 있는 우수한 방법 중에 하나이다. 본 연구에서 발광 물질은 180 ◦C 이상의 온도에서 액정상을 나타내는 Poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) 가 사용되었고, 전자주입층과 음극으로는 칼슘과 알루미늄이 사용되었다. 다양한 이온빔 조사 조건을 통해 제작된 유기발광 소자의 편광 특성을 광발광 (photoluminescence, PL) 실험을 통하여 확인한 결과, 30도의 이온빔조사각, 30초의 조사 시간, 100 A/cm2 의 전류 밀도, 300 eV의 이온빔 에너지에서 11:1 이상의 최적의편광도가 나타난다는 것을 확인하였고, 이를 90도 꼬여있는 네마틱 액정 모드 (twisted nematic, TN) 액정디스플레이에 적용한 결과 기존 대비 약 25% 이상의 투과도가 향상되었다.

영어초록

In this study, we present the polarization property of an organic light-emitting diode characterized by a low-energy and high-linearity ion-beam-treated MoS2 hole-transport layer deposited by using radio-frequency sputtering in order to obtain highly-polarized light. Poly (9,9-dioctylfluorene-altbenzothiadiazole), which exhibits a liquid crystal phase at a temperature higher than 180 ◦C, was used as the light-emitting material. The polarization characteristics of the organic light-emitting device fabricated under various ion-beam irradiation conditions were examined through photoluminescence experiments. The results showed that an optimal polarization ratio of 11:1 was obtained for a ion-beam-irradiated angle of 30 degrees, an irradiation time of 30 seconds, a current density of 100 A/cm2, and an ion-beam energy of 300 eV. When the optimized organic light-emitting diode was used as a backlight for a twisted nematic liquid-crystal display, its transmittance was improved by about 25% or more.

참고자료

· 없음