아르곤·산소 분압 비에 따른 비정질 산화 박막의 성장 (Growth of Amorphous Titanium-Oxide Thin Films by Using Different Oxygen Partial Pressures)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 67권 / 11호 / 1399 ~ 1403페이지
· 저자명 : 김진수, 지혁, 서혜원

초록

비정질 이산화 티타늄 박막을 DC 스퍼터링 방법을 이용하여 상온에서 아르곤$\cdot$산소 가스의 분압을 조절하여 증착하였다. 플라즈마 광 방출 분광법를 이용하여 박막 성장 과정중 스퍼터링 플라즈마 종과 에너지를 관측한 결과, 일정 아르곤 가스 분압에서 산소 가스 분압의 증가에 따라 TiO$^\ast$ 종이 상대적으로 Ti$^\ast$ 종 보다 증가하며, Ar$^\ast$ 종은 감소하는 것을 확인하였다. 감소한 Ar$^\ast$ 종은 낮은 스퍼터링 효율을 야기함을 알 수 있었다. 또한, 높은 TiO$^\ast$ 종이 결국 이산화 티타늄 박막의 산소 조성비를 증가시킴을 박막의 에너지 밴드 갭과 투과율의 증가로 확인할 수 있었다.

영어초록

Amorphous titanium-dioxide thin films were deposited by using a DC sputtering method and controlling the partial pressure of the argon$\cdot$oxygen gas at room temperature. By monitoring the optical emission spectra during the growth, we studied the sputtering plasma species and energy. We then found an increase in the amount of the TiO$^\ast$ species, as compared to the Ti$^\ast$ and the Ar$^\ast$ species, at a higher oxygen partial pressure for a fixed argon pressure. The decreased Ar$^\ast$ was responsible for the lower sputtering and growth rate. The incorporation of TiO$^\ast$ in the growth of amorphous titanium-dioxide thin films resulted in a higher oxygen content, which was revealed by the wider energy band gap and the improved transmission properties in the visible range.

참고자료

· 없음