나노결정 기반 페로브스카이트 발광 다이오드의 열처리에 따른 전기적 특성 연구 (A Study on the Electrical Properties in Nanocrystals-based Perovskite Light-emitting Diodes with Thermal Annealing)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 69권 / 9호 / 895 ~ 899페이지
· 저자명 : 이보람

초록

나노결정 (nanocrystals, NCs) 기반의 페로브스카이트 (perovskite)는 손쉬운 색 조정성, 좁은 반치폭(full-width at half maximum, FWHM) 방출, 높은 광발광 양자 수율 (photoluminescence quantum yields, PLQY)과 같은 장점으로 인해 발광 다이오드 (light-emitting diodes, LEDs) 재료로 유망한 후보이다. 본 연구에서는 열처리를 이용하여 효율적인 나노결정 기반의 페로브스카이트 발광 다이오드 소자를조사했다. 열처리는 페로브스카이트 발광 다이오드 소자에서 누설 전류를 감소시켜 장치 효율을 향상시킬수 있다. 특히, 80 ◦C에서의 열처리한 페로브스카이트 발광 다이오드 소자는 1.49%의 외부양자효율(external quantum efficiency, EQE)를 보여준다. 이는 열처리가 없는 페로브스카이트 발광 다이오드소자보다 약 4 배정도 외부양자효율이 높다. 또한, 우리는 재결합 영역의 제어를 통해 755 nm에서 깨끗한적색 발광을 나타내었다.

영어초록

Nanocrystal (NC)-based perovskites are promising candidates as light-emitting diode (LED) materials due to their advantages of easy color tunability, emissions with narrow full widths at half maxim, and high photoluminescence quantum yields (PLQYs). Herein, we have investigated the effect of thermal annealing on the efficiency nanocrystal-based perovskite LEDS (PeLEDs). The thermal annealing can reduce the leakage current in PeLEDs, leading to improved device efficiency.
In particular, PeLEDs with thermal annealing at 80 ◦C show an external quantum efficiency (EQE) of 1.49%, which is approximately 4-fold higher than the corresponding values for the PeLEDs without thermal annealing. Moreover, we clearly achieved a red emission at 755 nm via the control of the recombination zone.

참고자료

· 없음