층상형 칼코게나이드 박막의 자발적 반데르발스 에피탁시와 구조적 특성연구 (Structural Study on Spontaneous van der Waals Epitaxy of Layered Chalcogenide film)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 71권 / 4호 / 347 ~ 352페이지
· 저자명 : 황재열

초록

본 연구에서는 자발적 반데르발스 에피탁시 (spontaneous van der Waals epitaxy) 로 Al2O3 위에성장한 층상형 칼코게나이드 Bi-Sb-Te (BST) 박막에서 관찰되는 일정한 in-plane 정렬이 일어나는원인을 규명하고 2차원 박막의 인위적인 구조조작을 통해 구조-물성 상관관계를 조사하였다. 2 차원 칼코게나이드 BST 박막과 3차원 Al2O3 기판과의 이종 계면은 반데르발스 결합이 존재함에도불구하고 2차원 박막의 a b plane 격자 정렬이 특정한 기판 배향에 맞추어 성장하게 되는데 이러한특성은 기판과 박막 사이의 반데르발스 이종계면에 존재하는 Te단원자층들 간의 원자 정렬과 표면형상의 영향으로 구조적으로 잘 맞물리는 층 쌓기 (stacking) 에 의해 발생하는 것으로 확인되었다.
또한, 칼코게나이드 박막의 성장을 제어함으로써 층상형 pnictogen chalcogenide 결정구조내에 존재하는 BST quintet들 간의 반데르발스 계면 변화를 유도하여 c 축 격자 크기를 선택적으로 조절할 수 있었다.

영어초록

In the layer-structured Bi-Sb-Te (BST) pnictogen chalcogenide film grown on a Al2O3 substrate by using spontaneous van der Waals epitaxy, a structurally correlated in-plane orientation between the 2D BST film and the 3D substrate was found. In order to elucidate the origin of such a peculiar structural feature, we confirmed that well-matched stacking at the van der Waals hetero-interface could be induced by the similar atomic arrangements and surface topographies of Te monolayers.
Particularly, the c axis lattice parameter of the BST film was individually manipulated by altering the growth rate of spontaneous van der Waals epitaxy. We found that such a change could be generated by variations in the van der Waals interfaces between BST quintets in a layer-structured pnictogen chalcogenide.

참고자료

· 없음