분광광전류법에 의한 실리콘 계열 박막 반도체의 광흡수스펙트럼 측정 (Optical Absorption Spectrum Measurements of Silicon Based Semiconductor Thin Films by Using a Spectroscopic Photocurrent Method)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 61권 / 8호 / 797 ~ 803페이지
· 저자명 : 임태현, 박혁렬

초록

실리콘계 박막 반도체의 밴드갭 이하 광흡수스펙트럼을분광광전류법(SPM, spectroscopic photocurrent method)으로 측정하는기술을 소개한다. SPM 중에서 일정 광세기법(CLM, constant light-intensity method)과 일정 광전류법(CPM, constant photocurrent method)에 전제된 조건이 유효한지를 확인하여 어떤 방법이 더 유효한광흡수스펙트럼을 측정할 수 있는지를 확인하였다. 아울러 CLM법을사용하여 광흡수스펙트럼을 타당하게 측정할 수 있는 방법을 제시하였다.
비정질 실리콘(a-Si:H), n^+ a-Si:H p^+ a-Si:H, a-Si:H 미세결정실리콘(μc-Si:H), 비정질 실리콘-저매늄(a-SiGe:H) 박막 그리고결정질 실리콘(c-Si)에 CPM법을 사용하여 광흡수스팩트럼을 측정하였다.

영어초록

The constant photocurrent method (CPM) and the constant light-intensity method(CLM), among several spectroscopic photocurrent methods, were investigated to obtain the subgap optical absorption spectra (α) of amorphous-silicon (a-S;H) based semiconductor films. The μΤ product independence of the scanning wavelength, which is a necessary condition for a correct α spectrum measurement, held for the CPM, but not for the CLM. This limitation for CLM spectrum could be solved by normalizing it to the power spectrum with a photocurrent-light intensity power-law dependence. We measured the α spectra of a-Si:H,n^+ a-Si:H p^+ a-Si:H, a-Si:H, μc-Si:H, and a-SiGe:H thin films and of c-Si.

참고자료

· 없음