S-곡선 핵심가치변수를 활용한 반도체 공정기술개발 (Development of Semiconductor Process Technology Using S-curve Main Parameter Value)

서지정보

· 발행기관 : 사단법인 한국융합기술연구학회
· 수록지 정보 : 아시아태평양융합연구교류논문지 / 7권 / 8호 / 15 ~ 28페이지
· 저자명 : 전용문, 송용원

초록

이 논문은 S-곡선 분석을 이용한 레이저 수리 공정 척의 연구를 나타낸다. 본 연구의 필요성은 과거에서 현재로 시스템이 어떻게 변화해 왔으며 미래 시스템을 예측할 수 있는지에 대한 중요한 분석이다. 본 연구에서 반도체 웨이퍼는 일련의 초미세 공정을 진행한다. 레이저 수리 공정에서 웨이퍼 칩셋의 퓨즈 고장을 확인한 결과 퓨즈가 끊어지지 않는 문제가 있는 것으로 확인됐다. 1.5 µm 이상의 미세먼지가 척 흡착 링 근처의 돌출부에 축적되어 웨이퍼 높이가 변한다. 이에 따라 고장의 기능 문제와 핵심가치변수(MPV: Main Parameter of Value)를 미세먼지에 의한 웨이퍼 변형으로 정의하고, 모순을 극복해서 척의 흡착 링을 최소화하였다. 그러나 웨이퍼 퓨즈를 미세화 하는 과정에서 설비의 최소 레이저 및 정확성의 한계에 도달하고 레이저 수리 공정 설비는 미세공정 대응 및 생산성 향상을 동시에 대응할 수 없어 S-곡선 연구 모델은 기술 진화 방향으로 수립되었다. 또한, 특허를 활용하여 미래기술 방향성을 정립하였다.

영어초록

This paper represents the study of laser repair process chuck using S-curve analysis. The need for this study is an important analysis of how systems have changed from the past to the present and can predict future systems. In this study, semiconductor wafers go through a series of ultra-fine processing. In the process, it was found that there is a problem in that the fuse is not blown as a result of confirming a fuse failure in the wafer chipset in the laser repair process. The problem is brought about by fine dust of 1.5 µm or more accumulating in the protrusions near the chuck suction ring causing the wafer height to change. Accordingly, the function problem of the failure and the Main Parameter of Value (MPV) were defined as wafer deformation due to fine dust, and the contradictions were overcome to minimize the suction ring of the chuck. However, in the process of miniaturizing the wafer fuse, the minimum laser and accuracy limit of the facility was reached, and the laser repair process facility could not cope with the micro-processing and productivity improvement at the same time, thus, the S-curve research model was established with the direction of technology evolution. Furthermore, the future technology direction was established by using the and patents.

참고자료

· 없음