표면 플라즈몬 증강 라만법(Surface-plasmon enhance Raman spectroscopy)을 이용한 GaN 초박막의 광학적 특성에 대한 연구 (A Surface-plasmon-enhanced Raman Spectroscopy (SERS) Study on the Optical Properties of Ultra-thin (< 30 nm) GaN layers Deposited on Sapphire Substrates)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 59권 / 6호 / 467 ~ 471페이지
· 저자명 : 김호종, 송재호, 안병준, 동염군, 송정훈, 문영부

초록

c-사파이어 기판 위에 성장한 GaN 초박막의 광학적 성질을 조사하기 위해
서로 다른 온도와 두께로 성장한 GaN 박막 시료에 대해 표면 플라즈몬
증강 라만 산란법을 시도하였다. GaN의 포논 모드인 E1(TO)와
A1(LO) 모드를 관측하였고, 표면 플라즈몬 증강 라만 산란법의
최적화를 통해 E1(TO), A1(LO) 모드의 라만 신호를 104 배 이상
증강시킬 수 있었다. 표면 플라즈몬 증강 라만법을 이용하면, 일반적인
측정법으로는 측정할 수 없는 GaN 초박막 시료의 성질을 알아낼 수
있음을 보였다. GaN 초박막의 전자 농도는 성장온도에 따라 변하는 것을
확인하였다. 표면 플라즈몬 증강 라만산란법이 표면 근처의 라만 신호를
선택적으로 증가시키기 때문임을 알 수 있었고, 이는 GaN 초기 성장
모드와 GaN 초박막의 광학적 특성을 조사하는데 매우 유용한 기술임을 알
수 있었다.

영어초록

We have carried out surface-plasmon-enhanced Raman spectroscopy
(SERS) on 30-nm-thick GaN samples grown at various temperatures in
order to investigate the properties of ultrathin GaN films on
sapphire. We found that the properties, such as the strain in and
the free-carrier density of the thin layers, were sensitively
affected by the growth temperature. Our results show that SERS, by
selectively enhancing the Raman signal near the surface, can be a
very useful technique to investigate the optical properties of GaN
thin films and the initial growth mode.

참고자료

· 없음