O2/SF6, O2/N2와 O2/CH4 플라즈마를 이용한 폴리카보네이트 건식 식각 (Dry etching of polycarbonate using O2/SF6, O2/N2 and O2/CH4 plasmas)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 17권 / 1호 / 16 ~ 22페이지
· 저자명 : 주영우, 박연현, 노호섭, 김재권, 이성현, 조관식, 송한정, 전민현, 이제원

초록

O2/SF6, O2/N2 그리고 O2/CH4의 혼합 가스를 이용하여 폴리카보네이트의 플라즈마 식각을 연구하였다. 플라즈마 식각 장비는 축전 결합형 플라즈마 시스템을 사용하였다. 폴리카보네이트 식각은 감광제 도포 후에 UV 조사의 포토리소그래피 방법으로 마스크를 제작하여 실험하였다. 본 식각 실험에서는 O2와 다른 기체와의 혼합비와 RIE 척 파워 증가에 따른 폴리카보네이트의 식각 특성 연구를 중심으로 하였다. 특히 건식 식각 시에 사용한 공정 압력은 100 mTorr로 유지하였으며 공정 압력은 기계적 펌프만을 사용하여 유지하였다. 식각 실험 후에 표면 단차 측정기, 원자력간 현미경 그리고 전자 현미경 등을 이용하여 식각한 샘플을 분석하였다. 실험 결과에 의하면 폴리카보네이트 식각에서 O2/SF6의 혼합 가스를 사용하면 순수한 O2나 SF6를 사용한 것보다 각각 약 140 % 와 280 % 정도의 높은 식각 속도를 얻을 수 있었다. 즉, 100 W RIE 척 파워와 100 mTorr 공정 압력을 유지하면서 20 sccm O2의 플라즈마 식각에서는 약 0.4 ㎛/min, 20 sccm의 SF6를 사용하였을 때에는 약 0.2 ㎛/min의 식각 속도를 얻었다. 그러나 60 %의 O2와 40 %의 SF6로 혼합된 플라즈마 분위기에서는 20 sccm의 순수한 O2에 비해 상대적으로 낮은 -DC 바이어스가 인가되었음에도 식각 속도가 약 0.56 ㎛/min으로 증가하였다. 그러나 SF6 양의 추가적인 증가는 폴리카보네이트의 식각 속도를 감소시켰다. O2/N2와 O2/CH4의 플라즈마 식각에서는 N2와 CH4의 양이 각각 증가함에 따라 식각 속도가 감소하였다. 즉, O2에 N2와 CH4의 혼합은 폴리카보네이트의 식각 속도를 저하시켰다. 식각된 폴리카보네이트의 표면 거칠기 절대값은 식각 전에 비해 2 ~ 3 배정도 증가하였지만 전자현미경으로 표면을 관찰 하였을 때에는 식각 실험 후의 폴리카보네이트의 표면이 깨끗한 것을 확인할 수 있었다. RIE 척 파워의 증가는 -DC 바이어스와 폴리카보네이트의 식각 속도를 거의 선형적으로 증가시켰으며 이 때 폴리카보네이트의 감광제에 대한 식각 선택비는 약 1:1 정도였다. 본 연구의 의미는 기계적 펌핑 시스템만을 사용한 간단한 플라즈마 식각 시스템으로도 O2/SF6의 혼합 가스를 사용하면 폴리카보네이트의 미세 구조를 만드는데 사용이 가능하며 O2/N2 와 O2/CH4의 결과에 비해 상대적으로 우수한 식각 조건을 얻을 수 있었다는 것이다. 이 결과는 다른 폴리머 소재 미세 가공에도 응용이 가능하여 앞으로 많이 사용될 수 있을 것으로 예상한다.

영어초록

We studied plasma etching of polycarbonate in O2/SF6, O2/N2 and O2/CH4. A capacitively coupled plasma system was employed for the research. For patterning, we used a photolithography method with UV exposure after coating a photoresist on the polycarbonate. Main variables in the experiment were the mixing ratio of O2 and other gases, and RF chuck power. Especially, we used only a mechanical pump for in order to operate the system. The chamber pressure was fixed at 100 mTorr. All of surface profilometry, atomic force microscopy and scanning electron microscopy were used for characterization of the etched polycarbonate samples. According to the results, O2/SF6 plasmas gave the higher etch rate of the polycarbonate than pure O2 and SF6 plasmas. For example, with maintaining 100W RF chuck power and 100 mTorr chamber pressure, 20 sccm O2 plasma provided about 0.4 ㎛/min of polycarbonate etch rate and 20 sccm SF6 produced only 0.2 ㎛/min. However, the mixed plasma of 60 % O2 and 40 % SF6 gas flow rate generated about 0.56 ㎛ with even low -DC bias induced compared to that of O2. More addition of SF6 to the mixture reduced etch of polycarbonate. The surface roughness of etched polycarbonate was roughed about 3 times worse measured by atomic force microscopy. However examination with scanning electron microscopy indicated that the surface was comparable to that of photoresist. Increase of RF chuck power raised -DC bias on the chuck and etch rate of polycarbonate almost linearly. The etch selectivity of polycarbonate to photoresist was about 1:1. The meaning of these results was that the simple capacitively coupled plasma system can be used to make a microstructure on polymer with O2/SF6 plasmas. This result can be applied to plasma processing of other polymers.

참고자료

· 없음