O2/SF6/CH4 플라즈마를 이용한 플렉시블 Polycarbonate와 PMMA의 건식 식각 (Dry Etching of Flexible Polycarbonate and PMMA in O2/SF6/CH4 Discharges)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 18권 / 2호 / 85 ~ 91페이지
· 저자명 : 주영우, 박연현, 노호섭, 김재권, 이제원

초록

현재 플렉시블 폴리머를 이용한 MEMS (Microelectromechanical Systems) 기술이 빠르게 발전하고 있다. 그 중에서 Polycarbonate (PC), Poly Methyl Methacrylate (PMMA)와 같은 플렉시블 폴리머 재료는 광학적 특성이 우수하고 인체 친화적이며 미세 패턴 제조 공정이 용이하다는 등의 많은 장점을 가지고 있다. 본 연구는 반응성 이온 식각 기술을 이용하여 O2, SF6 그리고 CH4의 삼성분계 가스의 혼합 비율에 따른 PC와 PMMA의 건식 식각 결과 및 특성 평가에 관한 것이다. 준비한 각각의 기판에 포토리소그래피 방법으로 마스크를 형성하여 샘플을 만들었다. RF 척 파워를 100 W, 총 가스 유량을 10 sccm 으로 고정시켜 플라즈마 식각 실험을 실시하였다. 그 결과에 의하면 전체적으로 PMMA의 식각율이 PC보다는 약 2배 정도 높았다. 그 결과는 PC는 PMMA 보다 상대적으로 높은 녹는점을 가지고 있다는 사실과 관계가 있다고 생각한다. 또한 O2/SF6/CH4의 삼성분계 가스와 SF6/CH4, O2/SF6, O2/CH4로 나누었을 때 O2/SF6의 혼합 가스에서 PMMA와 PC의 식각 속도가 가장 높았다 (PC: 5 sccm O2/5 sccm SF6에서 약 350 nm/min, PMMA: 2.5 sccm O2/7.5 sccm SF6에서 약 570 nm/min). SEM을 활용하여 식각된 표면을 분석한 결과 PC는 PMMA보다 상대적으로 식각 표면이 더 매끈하였다. 또한 표면 거칠기 분석 결과 PC의 표면 거칠기는 1.9~3.88 nm이었지만 PMMA의 표면 거칠기는 17.3~26.1 nm로 현저하게 높았음을 확인할 수 있었다.

영어초록

There has been a rapid progress for flexible polymer-based MEMS(Microelectromechanical Systems) technology. Polycarbonate (PC) and Poly Methyl Methacrylate (PMMA), so-called acrylic, have many advantages for optical, non-toxic and micro-device application. We studied dry etching of PC and PMMA as a function of % gas ratio in the O2/SF6/CH4 ternary plasma. A photoresist pattern was defined on the polymer samples with a mask using a conventional lithography. Plasma etching was done at 100 W RIE chuck power and 10 sccm total gas flow rate. The etch rates of PMMA were typically 2 times higher than those of PC in the whole experimental range. The result would be related to higher melting point of PC compared to that of PMMA. The highest etch rates of PMMA and PC were found in the O2/SF6 discharges among O2/SF6, O2/CH4 and SF6/CH4 and O2/SF6/CH4 plasma composition (PC: ~350 nm/min at 5 sccm O2/5 sccm SF6, PMMA: ~570 nm/min at 2.5 sccm O2/7.5 sccm SF6). PC has smoother surface morphology than PMMA after etching in the O2/SF6/CH4 discharges. The surface roughness of PC was in the range of 1.9~3.88 nm. However, that of PMMA was 17.3~26.1 nm.

참고자료

· 없음