전기도금 코발트 박막과 갈바니 치환 반응으로 제작한 비스무트 텔루라이드의 물성에 대한 유기첨가제 N-Dimethyldithiocarbamic acid ester sodium salt의 영향 (Effect of an Organic Additive, N-Dimethyldithiocarbamic acid Ester Sodium salt, on Properties of Bismuth Telluride thin Films Fabricated by Galvanic Displacement Reaction of Electroplated Cobalt thin )

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 70권 / 2호 / 119 ~ 124페이지
· 저자명 : 김지현, 이정섭, 홍기민

초록

전기도금 방법으로 코발트 박막을 제작하고 이를 작용전극에서 분리한 후 갈바니 치환반응을 이용하여 비스무트 텔루라이드로 변환하였다. 순수한 전해액으로 도금한 코발트와 전기도금 전해액에 미량의유기첨가제를 가하여 도금한 코발트를 치환하여 얻은 비스무트 텔루라이드로는 결정구조와 비저항이대단히 상이한 특성을 나타낸다. 순수한 전해액으로 도금한 코발트를 치환하여 얻은 BiTe 박막은 비정질다결정 구조를 나타내고 낮은 비저항을 보인다. 그러나 유기첨가제를 가하여 도금한 코발트를 치환하여얻은 비스무트 텔루라이드는 대단히 높은 비저항값을 보인다. 이러한 비저항의 증가는 코발트 전기도금과정에서 첨가한 유기첨가제가 코발트와 치환되는 비스무트 텔루라이드의 결정구조에 미치는 영향에 의한것으로 보인다.

영어초록

We electroplated cobalt thin films and separated them from the electrodes. The cobalt thin films were converted to bismuth- telluride films by using a galvanic displacement reaction. The bismuthtelluride films obtained from the cobalt exhibited significant differences in morphology and electrical resistivity. The bismuth-telluride films fabricated from cobalt plated with a pure electrolyte had a polycrystalline amorphous structure and low resistivity. However, the bismuth-telluride films fabricated from cobalt plated with an additive showed significantly large resistivities. The increase in the resistivity can be attributed to the changes in the crystalline structure, which is caused by the additive during the electroplating process.

참고자료

· 없음