GOI 제작을 위한 연마공정이 웨이퍼의 직접 접합력에 미치는 효과 (Effects of Polishing Process for GOI Fabrication on Direct Wafer Bonding Strength)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 53권 / 6호 / 508 ~ 513페이지
· 저자명 : 변영태, 김선호

초록

높은 열처리 온도를 갖는 GaAs-on-Insulator (GOI) 제조에 필요한 웨이퍼직접접합 공정이 GaAs와 Si 사이에 있는 PECVD 산화막의 연마공정을이용하여 연구되었다. 초기 접합된 웨이퍼에 균일한 압력을 인가하기위해 흑연시료 장치가 이용되었다. 그리고 장력 (tensile force) 측정장치가 웨이퍼의 접합력을 측정하는데 이용되었다. 약 5000 \AA 의 PECVD 산화막이 610 g의 시료 고정장치를 이용하여 연마된 후, 초기 접합된GaAs/SiO$_2$/Si 웨이퍼는 300 $^\circ$C 부터 500 $^\circ$C까지 열처리되었다. 접합된 웨이퍼는 400 $^\circ$C의 열처리 온도에서 85 N의 최대접합력이 얻어졌다. 그리고 접합된 GOI 웨이퍼는 500 $^\circ$C의 열처리온도까지 분리되지 않았다.

영어초록

A direct wafer bonding process necessary for GaAs-on-insulator (GOI) fabrication with high thermal annealing temperatures was studied by using a polishing process for the PECVD oxides between gallium arsenide and silicon wafers. In order to apply some uniform pressure on initially-bonded wafer pairs, we used a graphite sample holder for wafer bonding. Also, a tool for measuring the tensile forces was used for the wafer bonding strengths. After about 5000 \AA thick PECVD oxides had been polished by using a sample holder of 610 g, the initially-bonded GaAs/SiO$_2$/Si wafers were annealed from 300 to 500 $^\circ$C. A maximum bonding strength of 85 N was obtained for an annealing temperature of 400 $^\circ$C, and the bonded GOI wafers did not separate up to an annealing temperature of 500 $^\circ$C.

참고자료

· 없음