SiO2 층위에 알루미늄이 도핑된 산화 카듀뮴의 박막 성장에 관한 연구 (Growth of Al-doped CdO Thin Films on SiO2 Layers)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 64권 / 9호 / 864 ~ 867페이지
· 저자명 : 이봉주, 정진

초록

R-F 스퍼터를 통하여 증착 시간을 변화시켜 산화 규소층 위에 알루미늄이 도핑된 산화 카드뮴 박막을 증착 하였다. XRD 에서는 FCC구조인 (111), (200), (220), (311) 그리고 (222)면이 관찰되었다. 박막은 증착 시간이 변화됨에 따라서 박막의 우선 성장면이 달라졌다. (111)면은 증착 시간이 증가됨에 따라서 강도는 감소되었다. 이는 증착 시간이 박막의 결정성에 영향을 미치고 있는 것으로 보인다. FCC구조에서 (200)면이 박막의 원자 에너지 밀도가 높아서 표면 에너지가 가장 낮아서 (200)면이 모든 박막에서 주 피크임을 보여주고 있다. 증착 시간이 증가됨에 따라서 박막의 표면은 거칠어졌고 입자는 이중 각진 구조가 보였다. 박막의 결함이나 입자의 형상 등은 증착 조건에 영향을 받고 이는 박막과 기판 사이의 평형 상태와 관련이 있다.

영어초록

Al-doped CdO thin films with different deposition times have been prepared on SiO2 layers by using radio-frequency (rf) sputtering technique. The peaks associated with the (111), (200), (220), (311) and (222) planes of the face-centered cubic structure are observed. The films having the preferred orientation changed with the deposition time. The (111) peak intensities decreased with increasing deposition time, which indicates that the crystallinity of the films deteriorates with increasing deposition time. For the S-1, S-2, S-3 and S-4 films, the (200) plane gave the dominant peak. The density of the atoms in the (200) plane was the highest in the FCC structure; therefore, the surface energy of the (200) plane was the lowest. The grain image of the films is seen to bimodal. The surface morphology, the microstructure, and the defect concentration of the films, as affected by the deposition conditions, suggest that a bimodal grain growth occurs. The surface structure of a thin film is expected to vary in shape due to grain growth during deposition while the interface will have an equilibrium shape during grain growth.

참고자료

· 없음