VLS 방법을 이용한 단결정 InxGa1-xAs 나노와이어 성장과 조성비 변화에 대한 특성측정 (Single Crystalline InxGa1-xAs Nanowires on Si (111) via VLS Method)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 22권 / 2호 / 105 ~ 110페이지
· 저자명 : 신현욱, 신재철, 최정우

초록

Vapor-Liquid-Solid 방법을 이용하여 다양한 성장온도와 V/III 비율 아래 InxGa1-xAs 나노와이어를 실리콘 (111) 기판 위에 성장하였다. 나노와이어 성장은 화학기상증착(MOCVD)장치를 이용하였으며, 나노와이어의 구조적 특성은 주사전자현미경 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 나노와이어의 조성비 분포를 확인하기 위하여 투과전자현미경에 장착된 Energy dispersive X-ray 분석기로 나노와이어의 길이에 따른 In과 Ga의 조성비를 측정하였다. 성장온도와 V/III 비율이 올라갈수록 In 조성비가 나노와이어 내부에서 크게 변하는 것을 확인하였는데, 이는 Vapor-Solid 방식에 의한 나노와이어 표면에서의 성장이 증가하기 때문으로 이해된다.

영어초록

Single crystalline InxGa1-xAs nanowires are grown on Si (111) substrate via Vapor-Liquid-Solid growth mode using metal-organic chemical vapor deposition. The ternarynanowires have been grown with various growth conditions and examined by electronmicroscopy. The alloy compositions of the nanowires has been investigated usingEnergy-dispersive X-ray spectroscopy. We have found that the composition gradient of thenanowire becomes larger with growth temperature and V/III ratio.

참고자료

· 없음