Raman 측정에 의한 육방정계 Si 단결정의 상 변화 특성 해석 (Analysis of the Phase Change Characteristics of Hexagonal Si Single Crystals by Using Raman Measurement)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 71권 / 10호 / 827 ~ 837페이지
· 저자명 : 김경화, 이강석, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 황선령, 이상걸, 노효진, 이원재, 하동한, 김석환

초록

육방정계 Si 단결정 구조에 대한 라만 특성을 조사하였다. 총 길이 3230 m의 시료에 대해 46개의위치를 선택하였으며, 입사 레이저 파워는 0.5 mW에서 50 mW 까지 9 등급으로 변화하였다. 성장동력이 되는 뿌리 부분에서 시작하여 육방정계의 몸체 그리고 끝부분의 상 변화를 라만 피크를 이용하여해석하였다. Si-IV 다형체 ! Si-XII ! Si-XIII의 일련의 과정을 거쳐 Si-IV의 상으로 전환되고, 다시Si-IV ! Si-III 의 반금속 반도체로 변화되는 가능성을 설명한다. 또한 성장된 결정은 10000시간이상에서도 변화가 없는 매우 안정적인 육방정계 Si 단결정임을 확인하였다. 이 결과는 앞으로 Si 분야의다양한 응용을 위한 출발점이 될 수 있을 것으로 기대한다.

영어초록

The Raman properties of a hexagonal Si single-crystal structure were investigated. For a sample with a total length of 3230 m, 46 positions were selected, and the incident laser power was changed from 0.5 mW to 50 mW in 9 steps. Starting from the root, which is the growth engine, the phase changes in the body and in the tip of the hexagon were analyzed using Raman peaks.
The Si-IV polymorph ! Si-XII ! Si-XIII through a series of processes is converted to the Si-IV phase, and the possibility of its being changed back to the semimetal semiconductor Si-IV ! Si-III is explained. In addition, it was confirmed that this phase change was confirmed to result in a very stable hexagonal Si single crystal that did not change over 10000 hours. The results are expected in the future to serve as a starting point for various applications in the field of Si research.

참고자료

· 없음