집속이온빔장치와 주사전자현미경을 이용한 박막 트랜지스터 구조불량의 3차원 해석 (Three Dimensional Reconstruction of Structural Defect of Thin Film Transistor Device by using Dual-Beam Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscopy)

서지정보

· 발행기관 : 한국현미경학회
· 수록지 정보 : Applied Microscopy / 39권 / 4호 / 349 ~ 354페이지
· 저자명 : 김지수, 이석열, 이임수, 김재열

초록

TFT-LCD의 구조불량이 발생한 박막 트랜지스터에 대해서 집
속이온빔 가공장치(Dual-beam FIB/SEM)를 이용하여 연속절편
법(Serial sectioning)과 일련의 연속적인 2차원 주사전자현미경
이미지를 얻었고, IMOD 소프트웨어를 통해서 3차원 구조구현
(3D reconstruction) 연구를 하였다. 3차원 구조구현 결과, Gate막
과 Data막이 접합되어 있는 불량이 관찰되었다. 두 막이 접합되
어서 ON/OFF 역할을 하는 Gate의 기능이 상실되었고, Data신호
는 Drain을 통해서 투명전극에 전류를 공급하여 계속 빛나는 선
불량(line defect)이 발생한 것으로 판단된다. 이 논문의 결과인
집속이온빔 가공장치(Dual-Beam FIB/SEM)를 이용한 3차원 구
조구현 연구와 연속절편법, 주사전자현미경 이미지작업, 이미지
프로세싱에 대한 결과는 향후 연구의 기초자료로 활용될 수 있
을 것으로 판단된다.

영어초록

In this paper we have constructed three dimensional images and examined structural failure on thin film transistor (TFT)
liquid crystal display (LCD) by using dual-beam focused ion beam (FIB) and IMOD software. Specimen was sectioned
with dual-beam focused ion beam. Series of two dimensional images were obtained by scanning electron microscopy.
Three dimensional reconstruction was constructed from them by using IMOD software. The short defect between Gate
layer and Data layer was found from the result of three dimensional reconstruction. That phenomena made the function of
the gate lost and data signal supplied to the electrode though the Drain continuously. That signal made continuous line
defect. The result of the three dimensional reconstruction, serial section, SEM imaging by using the FIB will be the foundation
of the next advanced study.

참고자료

· 없음