94GHz 평면형 GaAs 건 다이오드 구조의 연구

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 55권 / 4호 / 225 ~ 233페이지
· 저자명 : 김미라, 이성대, 이진구, 채연식

초록

본 논문에서는 graded-gap injector GaAs 건 다이오드 에피 구조를
사용하여 94 GHz에서 동작하는 두 가지 형태의 평면형 GaAs 건 다이오드
구조에 대하여 연구하였다. 첫 번째 구조는 60 - 70 $\mu$m의 직경을
가지는 캐소드가 중앙에 원형으로 위치하고 애노드가 캐소드를 둘러싸는
형태로써, 캐소드의 크기가 변하더라도 애노드와 캐소드의 금속전극
사이의 거리가 항상 10 $\mu$m를 유지하도록 설계하였다. 두 번째 구조는
플립 칩 형태의 모듈 구성 및 패키지에 유리하도록 캐소드가 애노드를
둘러싸는 형태로 설계되었다. 이 구조에서 에어브리지로 연결되어 있는
애노드의 크기는 40 mW 이상의 출력전력을 확보할 수 있도록 그 크기를
3000 - 9000 $\mu$m$^2$으로 설계하였다. 설계된 다이오드 구조를
오믹접촉 형성, 메사식각, 오버레이 금속 및 에어브리지 형성의 표준
공정을 사용하여 제작하였다. 제작된 다이오드의 전류 - 전압 특성과
부성미분저항 효과를 조사하고 동작전압과 출력전력에 대하여
논의하였다.

참고자료

· 없음