사다리꼴 게이트 구조를 갖는 고내압 AlGaN/GaN HEMT (High Breakdown-Voltage AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor having a Trapezoidal Gate Structur)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 46권 / 4호 / 10 ~ 14페이지
· 저자명 : 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, 김수진, 김동호, 정강민

초록

본 논문에서는 항복 전압 특성을 향상시키기 위한 사다리꼴 게이트 구조의 AlGaN/GaN HEMT구조를 제안하였으며 그 실현 가능성을 2차원 소자 시뮬레이터를 통해 조사하였다. 사다리꼴 게이트 구조의 사용으로 드레인 방향의 게이트 모서리 부근에서 나타나는 전계의 집중을 효과적으로 분산되는 것이 시뮬레이션 결과에서 확인 되었다. 제안된 사다리꼴 게이트 AlGaN/GaN HEMT 소자 구조에서 2DEG 채널을 따라 형성되는 전계의 피크값은 4.8 MV/cm 에서 3.5 MV/cm 로 기존 구조의 AlGaN/GaN HEMT에 비해 30 % 가량 감소하였으며, 그 결과로 인해 항복 전압은 49 V 에서 69 V 로 40 % 가량 증가하였다.

영어초록

We propose a trapezoidal gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) to improve the breakdown voltage characteristics and its feasibility is investigated by two-dimensional device simulations. The use of a trapezoidal gate structure appears to be quite effective in dispersing the electric fields concentrated near the gate edge on the drain side from the simulation result. We find that a peak value of the electric field along the 2-DEG channel is reduced by 30 %, from 4.8 to 3.5 MV/cm, and thereby, the breakdown voltage (Vbr) of the proposed AlGaN/GaN HEMT is increased by about 40 %, from 49 to 69 V, compared to those of the standard AlGaN/GaN HEMT.

참고자료

· 없음