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ASML 면접 대비 자료 - 반도체 포토리소그래피 공정 순서 및 photo 공정 파라미터 정리
ASML 기업 및 삼성전자 공정기술 지원자 중
포토리소그래피 공정과 포토리소그래피 세부 순서를 잘 이해하지 못하는 분들께 추천드립니다.
Photo resist 구성요소와
Edge Bead란?
Edge Bead가 포토리소그래피에 영향 미치는 게 무엇인 지?
알지 못하는 분들께선 읽어보시길 바랍니다.
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최초등록일 2021.11.17
최종저작일
2021.11
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소개
ASML 기업 및 삼성전자 공정기술 지원자 중
포토리소그래피 공정과 포토리소그래피 세부 순서를 잘 이해하지 못하는 분들께 추천드립니다.
Photo resist 구성요소와
Edge Bead란?
Edge Bead가 포토리소그래피에 영향 미치는 게 무엇인 지?
알지 못하는 분들께선 읽어보시길 바랍니다.목차
1. Photolithography 공정 순서
2. Photolithography 공정 별 파라미터
3. Edge Bead 설명 및 공정 영향
4. Negative PR과 Positive PR의 차이
5. Photoresist의 구성 요소
6. RCA Cleaning과 특징본문내용
1. 이전 공정에서 남아있었던 이물질을 cleaning (Cleaning 대상으로는 solvent,물, 이전 공정의 식각 현상 잔여물, PR, 공기 중의 먼지, 박테리아 CMP 후 발생입자 등) 제대로 클리닝하지 않으면 단차로 인해 에칭이나 식각에 있어 문제가 발생한다 맨처음에는 RCA cleaning을 한다. H2SO4(황산),HCl(염산) 등으로 유기물이나 알칼리 이온을 제거하는데 강력한 물질을 사용하다보니 나중에 소자가 쌓아올라가고 있을 땐 사용하지 못한다. 맨 처음에만 클리닝할 수 있다.
Ashing혹은 O2 plasma로 유기물을 제거할 수 있다.
실리콘 위에 자연적으로 생긴 산화막을 SiO2+6HF(불화수소)로 제거하게 되면 산화막이 제거된다.
그리고 D.I water(De -ionized wafer)는 이온이 없는 깨끗한 물로 깨끗히 씻어낸 후 N2가스를 불어서 물기를 깨끗하게 제거한다
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