실험9_전자회로실험_결과보고서_MOSFET 기본특성

소개

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목차

1. 제목
2. 실험결과
3. 검토 및 평가- 고찰사항

본문내용

3. 검토 및 평가
- 고찰사항
① NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반적으로 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 쪽에 사용하는 이유를 설명하시오.
NMOS의 경우 소스와 드레인에 각각 n+가 부분적으로 도핑이 되어 있는데, 게이트에 양전압을 인가해야 n채널이 형성되어 소스와 드레인이 연결되며 전류가 흐른다.
PMOS의 경우 소스와 드레인에 각각 p+가 부분적으로 도핑이 되어 있는데, 게이트에 음전압을 인가해야 p채널이 형성되어 소스와 드레인이 연결되며 전류가 흐른다.
소스 단자는 기판 단자에 연결되는데, 일반적으로 개별적인 회로의 경우 기판은 회로 동작에 어떠한 영향도 하지 않으므로 무시될 수 있지만 직접회로에서는 많은 MOS들이 기판을 공유한다. 이에 따라, 모든 기판과 채널 사이의 접합들을 차단 상태로 유지하기 위하여 NMOS 회로에서는 전압이 가장 낮은 전원에 기판이 접속되며, PMOS에서는 전압이 가장 높은 전원에 기판이 접속된다.

② MOSFET의 세가지 동작 영역 중에서 전류가 최대로 흘러서 증폭기로 사용하기에 적합한 동작 영역은 어느 영역인가?
전류가 최대로 흘러 증폭기 또는 정전류원의 역할이 가능한 영역은 포화 영역이다.

참고자료

· 없음