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BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.01.121. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 저항을 하나 추가한 형태로 만들 수 있으며, 고정 바이어스 회로보다 안정된 동작을 보여준다. 에미터 바이어스 회로에서는 β값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에서 베이스 저항을 콜렉터로 궤환시킨 구조로, 적은 부품을 사용할 수 있으며 안정된 동작을 보여준다. 콜렉터 궤환 바이어스에서는 I_C값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 3. 바이어스 회로 비교 7장과 8장에서 실험...2025.01.12
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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과학자들의 업적2025.05.051. 멘델레예프의 주기율표 발견 멘델레예프는 당시 알려진 원소들을 원자량 순서대로 배열하여 주기율표를 만들었다. 이를 통해 원소들의 성질을 규명하고 아직 발견되지 않은 원소들을 예측할 수 있었다. 비록 후에 모즈비에 의해 일부 오류가 발견되었지만, 멘델레예프의 업적은 현대 화학의 기반을 마련했다고 볼 수 있다. 2. 존 바딘의 트랜지스터 발명 존 바딘은 트랜지스터를 발명하여 진공관을 대체할 수 있는 전자 증폭기를 개발했다. 이는 전력 소모가 적고 수명이 길어 라디오, TV, 컴퓨터 등 전자 기기 발전에 큰 기여를 했다. 바딘은 이 ...2025.05.05
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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Oscillator 설계 예비보고서2025.04.271. Push-pull 증폭기 동작 이해 R_L=100 ohm, R_bias=1k ohm, V_CC=12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. 2. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone 현상이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 파...2025.04.27
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