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공통 베이스 및 이미터 팔로워 트랜지스터 증폭기2025.11.171. 공통 베이스(CB) 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가진다. 이 회로는 큰 전압 이득을 제공하며, 교류 입력 임피던스는 베이스 단자가 접지될 때 계산되고, 교류 출력 임피던스도 특정 식으로 결정된다. 실험에서는 직류 바이어스, 교류 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스를 측정하고 이론값과 비교하여 회로의 특성을 분석한다. 2. 이미터 팔로워(EF) 또는 공통 컬렉터(CC) 증폭기 이미터 팔로워 회로는 주로 임피던스 정합에 사용되며 전...2025.11.17
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
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(A+자료) 아날로그회로실험 텀프로젝트 OP-AMP를 이용한 차량 주차 안전 시스템2025.04.271. 단위 이득 플로어 단위 이득 플로어의 회로는 비반전 입력단에 5V를 인가해주어 항상 VCC가 출력되도록 만들었음. 단위 이득 플로어의 특징은 Av=1, Rif=(1+A0)Ri, Rof=R0/1+A0로, 이득이 1이기 때문에 입력값이 출력값과 같음. 단위 이득 플로어는 버퍼로 작동하며, 이를 통해 출력단에 있는 다른 비교기와 소자에 영향을 받지 않고, 일정한 출력을 내보낼 수 있으며, 출력 임피던스가 낮아짐. 2. 비교기 OP Amp의 매우 큰 증폭률이 매우 큰 점을 이용하는 회로임. Vi가 양의 값이면 Vo에는 양의 전원전압이...2025.04.27
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 결과보고서 중앙대학교 전자회로설계및실습2025.04.271. Op Amp 증폭기 설계 Op Amp는 고입력 저항, 저출력 저항, 높은 개방 이득이 특징이며 +입력단자와 -입력단자간 전압차를 증폭시키는 기능을 지닌 증폭기이다. 실험을 통해 Inverting/non-Inverting Amplifier 설계를 수행하고 입출력 전압을 측정하여 이득을 계산하고 이론값과 비교하였다. 또한 입출력 전압이 동일할 때의 주파수를 측정하고 왜곡되기 전 출력파형을 측정하였다. 2. Inverting Amplifier 동작 Inverting Amplifier를 구현하고 입력전압과 출력전압을 측정하였다. 설계...2025.04.27
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 10. Oscillator 설계2025.04.301. Oscillator 설계 이 실습에서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator(신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습한다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 Oscillator 회로를 설계하고 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 관련 파라미터를 분석한다. 또한 피드백 계수(β)와 피드백 저항(R)의 변화가 Oscillator 동작에 미치는 영향을 확인한다. 2. Positive Feedback 이 Osci...2025.04.30
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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