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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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인하대 VLSI 설계 2주차 inverter2025.05.031. Inverter 회로의 개념 Inverter 회로는 입력이 0일 때 출력으로 1이 출력되고 입력이 1이면 출력으로 0을 출력하는 회로를 말한다. CMOS Inverter 회로는 VDD에 PMOS, GROUND에 NMOS가 연결되어 있으며, 입력 신호가 1일 때 PMOS는 OFF, NMOS는 ON이 되어 출력 단자 Y가 VDD와 차단되고 GND와 연결되어 0의 값을 출력하며, 입력 신호가 0일 때 PMOS는 ON, NMOS는 OFF가 되어 출력 단자 Y가 VDD와 연결되고 GND와 차단되어 1의 값을 출력한다. 2. Invert...2025.05.03
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전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하 회로 구현2025.01.291. 전류원 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫 번째 MOSFET에 흐르는 기준 전류 I_REF를 두 번째 ...2025.01.29
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 20 차동 증폭기 기초 실험)2025.01.291. 정전류원 회로 정전류원 회로는 일정한 전류를 제공하는 회로로, 주로 전류 제어 및 안정적인 전류 공급이 요구되는 응용에서 사용된다. 첨부된 그림의 정전류원 회로는 MOSFET 소자 M_4와 M_3를 사용한 구조로 구성되어 있다. 이 회로는 MOSFET의 전류 제어 특성과 전류 거울 원리를 사용하여 기준 전류를 설정하고, 이를 기반으로 일정한 부하 전류를 제공하는 정전류원이다. 2. 차동 증폭기 회로 차동 증폭기는 두 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로로, 높은 입력 저항과 낮은 출력 저항을 가지며 잡음 제거와 신호 증폭에서 중요...2025.01.29
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침입자 경보기 회로 실험2025.04.281. 트랜지스터 트랜지스터를 이용하여 부저까지 전류가 흘러가면 부저가 작동되어 침입자가 들어오는 것을 알 수 있는 회로입니다. 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 됩니다. 2. 회로 작동 원리 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울...2025.04.28
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
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실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다. 이를 이용하면 별도의 ...2025.04.27
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