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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과 보고서2025.01.061. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤, DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류 등을 측정하고 기록하였다. 실험 결과, 단일 Current Mirror의 출력 전류는 10mA에 근접하여 추가 조절이 필요하지 않았으며, 출력 저항 Ro는 약 2.46kΩ으로 측정되었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계한 뒤, DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, ...2025.01.06
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.271. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Op Amp의 Offset Voltage 측정 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier 회로를 설계하고, 유한한 크기의 Open Loop Gain을 고려하여 Offset Voltage를 측정하는 방법을 기술합니다. 또한 Data Sheet에서 Offset Voltage의 min, typ, max 값의 의미와 Offset Voltage 조정 방법에 대해 설명합니다. 2. Op Amp의 Slew Rate 측정 Op Amp의 Slew ...2025.01.27
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.011. 센서의 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하였을 때 200 [mVpp]로 측정되었고, 센서의 부하로 10 [kΩ] 저항을 연결한 후 10 [kΩ] 저항에 걸리는 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 100 [mVpp]로 측정되었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로의 Vth는 200 [mVpp], Rth는 10 [kΩ]임을 알 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 Thevenin 등가회로를 (-) 입력단자에 연결하고, 출력단자와 (-) 입력단...2025.05.01
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 예비보고서2025.01.131. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 소오스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소오스 단자에서 감지된다. 드레인 단자가 공통이므로, 공용 드레인 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 소오스 팔로워'라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한, 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC 레벨에서 Vas...2025.01.13
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[보고서]IR에 대하여2025.05.061. 내부 저항 IR은 배터리의 내부 저항을 의미하며, 배터리의 성능과 밀접한 관련이 있다. 배터리의 내부 저항은 제조 공정에서 물리, 화학적인 크기 및 특성에 의해 결정된다. 내부 저항을 측정하는 방법으로는 DCIR(Direct Current Internal Resistance)가 있으며, 이는 배터리에 일정 시간 동안 충방전 펄스를 가해주고 전압, 전류값을 옴의 법칙을 이용하여 계산하는 방식이다. 2. 배터리 용량 배터리 용량은 배터리에 전기에너지를 얼마나 저장할 수 있는지를 나타내는 지표로, 저장되는 전자의 수를 의미한다. 용...2025.05.06
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_결과보고서2025.01.221. 센서 출력 신호 증폭 본 실험에서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 센서 출력 신호를 10 kΩ 저항과 Function Generator를 이용하여 구현하고, 오실로스코프로 측정한 결과 예상과 다른 출력 전압이 나왔다. 이는 실제 저항값과 이론값의 차이로 인한 것으로 분석되었다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier를 설계하고 측정한 결과, 저항값 차이로 인...2025.01.22
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 7차 예비보고서2025.01.041. 논리함수와 게이트 이 보고서에서는 다양한 논리 게이트의 기능을 실험적으로 이해하고자 합니다. XNOR, NAND, NOR, XOR 게이트의 회로도를 설계하고 진리표를 작성하여 그 특성을 분석합니다. 또한 AND 게이트와 OR 게이트의 입출력 시간 지연을 측정하는 방법을 조사하고 실험 계획을 수립합니다. 마지막으로 NAND 게이트의 최소 정격 전압을 구하는 방법과 2x4 디코더 회로를 설계하는 내용이 포함되어 있습니다. 1. 논리함수와 게이트 논리함수와 게이트는 디지털 회로 설계의 기본이 되는 중요한 개념입니다. 논리함수는 입력...2025.01.04
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20