총 412개
-
PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
-
Escape rhythm2025.01.031. Escape rhythm Escape rhythm은 심장의 정상 박동 조절 기능이 실패할 때 나타나는 현상입니다. 이는 동방결절의 기능 장애나 완전 방실차단으로 인해 발생할 수 있습니다. 이 경우 심장의 다른 부위에서 자체적으로 박동을 생성하여 심장 활동을 유지하게 됩니다. 이러한 escape rhythm에는 심방 escape rhythm, 접합부 escape rhythm, 심실 escape rhythm 등이 있으며, 각각의 특징과 발생 원인, 치료법이 다릅니다. 2. Atrial escape rhythm Atrial esca...2025.01.03
-
응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
-
BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
-
전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
-
반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
-
Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
-
순환기간호-부정맥 그림2025.04.251. 조기심방수축 조기심방수축은 정상 심방 수축 사이에 발생하는 조기 심방 수축을 말합니다. 이는 심장의 정상적인 전기 활성화 패턴을 방해하여 불규칙한 심장 박동을 유발할 수 있습니다. 2. 심방조동 심방조동은 심방이 규칙적으로 빠르게 수축하는 부정맥입니다. 이로 인해 심실이 불규칙하게 수축하게 되어 심장 박동이 빨라지게 됩니다. 3. 동성빈맥 동성빈맥은 정상 동방결절 기원의 빠른 심장 박동으로, 운동, 스트레스, 불안 등에 의해 발생할 수 있습니다. 대부분 무증상이지만 때로는 어지러움, 가슴 두근거림 등의 증상이 나타날 수 있습니...2025.04.25
-
A+여성간호학 자궁목상피내종양 케이스2025.01.101. 자궁목상피내종양 자궁목은 내자궁목을 덮은 원주상피세포와 외자궁목을 덮는 편평상피세포로 구성되는데, 이 상피세포가 만나는 지점을 편평원주접합부라고 한다. 이 편평원주접합부는 사춘기, 임신, 폐경기 등 생의 주기별로 변화하는 즉, 호르몬 자극으로 변화하는 역동적 지점이다. 초경 이후 에스트로겐의 분비 증가로 인해 질상피세포의 산도가 변화하여 원주상피세포가 편평상피세포로 치환되는 화생과정이 일어난다. 화생은 본래의 편평원주접합부의 내측에서 외구쪽으로 원주상피세포 위로 진행되며, 이 과정에서 변형대가 형성된다. 변형대는 본래의 편평원...2025.01.10
-
전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
7 / 42
