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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서92025.01.111. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니다. 입력 전압을 0V에서 6V까지 변화시키면서 출력 전압의 변화를 관찰하였습니다. 입력 저항과 부하 저항의 값을 변경하여도 동일한 결과가 나오는 것을 확인하였습니다. 또한 입력 전압을 2V로 고정하고 전원 전압을 변화시켰을 때 출력 전압이 일정 수준 이상에서 더 이상 변하지 않는 것을 확인하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니...2025.01.11
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사이리스터 결과보고서2025.01.081. 사이리스터 단상 브릿지 회로 사이리스터는 다이오드와 유사하게 전류를 흐르게 하고 차단할 수 있지만, 더 큰 면적과 낮은 전압 강하, 빠른 스위칭 속도를 가지고 있어 대전력이 필요한 곳에 유용하게 사용됩니다. 단상 브릿지 회로에서 사이리스터를 사용하면 유도성 부하의 경우 출력 전압이 음의 값을 가지게 되는데, 이는 인덕터에 축적된 자기 에너지가 방출되면서 전류가 계속 흐르기 때문입니다. 반면 저항성 부하의 경우 입력 전압이 음이 되면 모든 사이리스터가 켜질 수 없어 출력 전압이 0이 됩니다. 환류 다이오드가 추가되면 유도성 부하...2025.01.08
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옴의법칙측정 예비보고서2025.01.121. 옴의 법칙 옴의 법칙은 금속 도체 양단에 전압 V가 가해질 때 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로, V=IR (V=전압, I=전류, R=저항)의 관계를 갖는다. 옴의 법칙을 따르는 저항의 경우, 저항은 기울기의 역수로 주어져 전압과 전류의 관계가 직선으로 나타난다. 반대로 공급전압에 따라 저항 값이 변하는 물질들은 '비옴물질'이라고 하며, 이때 저항이 전압에 따라 일정하지 않은 값을 가져 곡선으로 나타나게 된다. 2. 전압 전압은 전하가 전위가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동할 때 전위의 차이를 의미한다. 전압이...2025.01.12
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전자회로설계실습 실습 9 결과보고서2025.01.041. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력 저항과 부하 저항값에 변화를 주며 출력전압의 변화를 관찰하였다. 출력전압의 측정값이나 gain에 큰 차이가 없었다. 전원 전압을 12V에서 8V로 하강시키고 입력전압을 증가시키며 측정값의 변화를 관찰하였다. 8V로 하강시키자 일정 입력전압 이상에서 gain을 유지하지 못하고 출력전압이 전원 전압을 넘지 못하는 것을 관찰할 수 있었다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 Rf에 변화를 주며 LED에...2025.01.04
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] [김ㅇㅇ 교수님] 2022 HW042025.05.031. Si pn 접합 다이오드 상온에서 동작하는 실제의 Si pn 접합 다이오드에서는 접합 면에서의 도핑 분포가 완전한 계단형이 아니다. 따라서 금속학적 접합 근처에서는 전자와 정공 사이에 보상효과가 일어날 수 있다. 이러한 보상효과에 의하여 평형 상태의 공핍층 내에서의 이온화된 도펀트들의 분포가 근사적으로 선형 함수로 주어진다고 가정한다. 2. 체적 전하밀도 체적 전하밀도 Qv를 구하고 그래프로 나타낸다. 3. 전계 전계 E와 최대 전계 Emax를 구하고 그래프로 나타낸다. 4. 전위 전위 V와 내부 전위 Vi를 구하고 그래프로 ...2025.05.03
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서52025.01.111. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 예비 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 설계, 그리고 구동 회로 측정 방법 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 BJT와 MOSFET의 스위칭 특성을 이해하고 실제 회로 설계에 적용하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 BJT...2025.01.11
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pspice 기본op앰프응용회로예비레포트2025.05.091. 부임피던스 회로 부입력 저항을 가지며 부임피던스 회로라 불린다. 이 회로는 원하지 않는 정 저항을 상쇄시키는 데 사용되어진다. 입력 저항 R_in은 V_in/I로 정의된다. OP앰프의 입력은 V_+ = V_in, V_- = (R_A V_out)/(R_A +R_F)이며 V_+ = V_-로 두면 V_out = V_in(1 + R_F/R_A)이다. 입력저항 R_in = -R_A R/R_F이다. 저항이 임피던스 Z로 대체되면, 그 회로는 이벽 임피던스 -(R_A/R_F)Z를 갖는 부임피던스 회로가 된다. 2. 종속 전류 발생기 종속전...2025.05.09
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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