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A+받은 제너다이오드 예비레포트2025.05.101. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 바이어스에서는 일반적인 다이오드와 동일한 동작 특성을 갖지만, 역방향 항복전압을 제조 공정에서 조절하여 일정한 값으로 만든 다이오드입니다. 제너 다이오드는 제너 항복과 눈사태 항복에 의해 역방향 항복전압이 형성되며, 이를 이용하여 전압 레귤레이터 또는 표준전압 발생기로 사용됩니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 특성, 전원전압 변화에 따른 특성, 부하저항 변화에 따른 특성 등을 확인하였습니다. 1. 제너 다이오드 제너 다이오드는 전자 회로에서 중요한 역할을 하는 반도체 소자...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
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전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. 바이어스 회로 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭...2025.01.13
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 증폭기는 베이스로 공급된 입력신호에 따라 베이스와 에미터 사이의 전류가 증가하고, 콜렉터와 에미터의 전압이 증가하면서 콜렉터 전류가 증가되어 전압이득이 발생한다. 실험에서 Av가 275배 증가하여 입력 신호와 출력 신호의 크기가 100배 이상 증폭되는 것을 확인했다. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 낮은 출력 임피던스를 가져 증폭된 출력 신호가 다른 회로로 전달될 때 손실이 적고 전력 손실이 적다는 장점이 있다. 2. 전압 분배기 바이어스 공통 에미터 회로의 직류값 측정에서 2N390...2025.11.16
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 증폭기 회로 공통 에미터 증폭기는 높은 전압 이득을 제공하는 회로로, 입력 임피던스는 공통 베이스보다 크고 공통 콜렉터보다 작으며, 출력 임피던스는 공통 콜렉터보다 크고 공통 베이스보다 작다. 따라서 다른 증폭기들에 비해 중간 특성을 가지고 있으며, 일반적으로 10~100의 전압 이득을 제공한다. 2. 전압 이득 및 임피던스 계산 직류 바이어스에서 임피던스는 re = 26(mV)/IEQ(mA)로 구하고, 교류 전압 이득은 Av = -RC/(RE+re)로 계산된다. 주파수가 높을 경우 리액턴스가 0이 되어 RE=0이...2025.11.16
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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서2025.11.181. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i/(R_i+R_Si))이다. 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전압이득이 이론값에 가까워진다. 2. MOSFET 바이어스 및 동작 원리 MOSFET은 드레인 전류가...2025.11.18
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P-N 접합의 접촉전위와 전류 특성2025.11.181. 접촉전위(Contact Potential) P-N 접합에서 P측의 정공과 N측의 전자가 확산되면서 접합부에 전기장이 형성된다. 이로 인해 발생하는 평형 상태의 전위차를 접촉전위 V0라 하며, 이는 이동 전하의 확산을 방해하는 내재적 전위 장벽 역할을 한다. 접촉전위는 V0 = (kT/q)ln(NaNd/ni²) 식으로 표현되며, 여기서 Na는 P측 수용체, Nd는 N측 공여체, ni는 본질 반도체의 캐리어 농도이다. 2. 공간전하 영역(Space Charge Region) 접합부에서 캐리어가 고갈되는 영역을 천이영역(transi...2025.11.18
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