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전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. BJT Amp Biasing 이 실험에서는 BJT 증폭기의 바이어싱 방법에 대해 학습하고 각 방법의 장단점을 비교했습니다. 실험에서 다룬 바이어싱 방법은 Simple Biasing, Resistive Divider Biasing, Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration, Self-biasing 등입니다. 각 방법의 특성을 실험 결과를 통해 확인했으며, 저항 값 변화에 따른 민감도, 안정성, 효율성 등을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 BJT 증폭기 설계 시 적절한 바이어싱 ...2025.05.10
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차동 증폭기 회로 실험2025.11.171. BJT 차동 증폭기 BJT 차동 증폭기는 플러스와 마이너스 입력단자를 가진 회로로, 두 입력에 인가된 신호에서 위상이 반대인 신호성분은 크게 증폭되지만 동상인 신호성분은 출력에서 상쇄된다. DC 결합으로 연결되며 양의 전원 VCC와 음의 전원 VEE가 DC 바이어스를 제공한다. 차동 전압이득과 공통모드 이득을 계산할 수 있으며, 실험에서 두 트랜지스터의 re값이 같다고 가정한다. 2. FET 차동 증폭기 FET 차동 증폭기는 JFET를 사용하는 차동 증폭기로, 차동 전압이득을 계산할 수 있다. IDSS와 VP(핀치 오프 전압)...2025.11.17
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교류및전자회로실험 실험10-1 트랜지스터 증폭회로1 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다. 2. 트랜지스터 바이어스 트랜지스터의 Q-point를 load line의 중앙에 위치시키기 위해 사용되는 bias는 여러 종류가 있으며, 가장 보편적인 방법은 voltage divider bias이다. 이를 통해 트랜지스터를...2025.01.17
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 6 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.011. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 Early effect를 무시한 상태에서 overall voltage gain 식을 이용하여 부하 저항 RL에 최대 전력이 전달되도록 RC를 결정하는 방법, gm을 구하는 방법, 바이어스 전압 및 전류를 계산하는 방법, 입력 저항 Rin을 구하는 방법, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 그리고 입력 저항 추가를 통한 선형성...2025.05.01
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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 실험 1에서는 nMOS 정전류원 회로를 구성하고 RREF 값에 따른 IREF 전류를 측정하였다. 실험 결과 RREF가 200Ω일 때 IREF가 20mA에 가장 가까운 값을 가짐을 확인하였다. 또한 VX 변화에 따른 ISS 전류를 측정하여 VX가 0.7V 이상일 때 ISS가 거의 일정한 값을 유지함을 확인하였다. 이를 통해 channel length modulation 효과로 인해 실제 전류원 회로에서는 이상적인 정전류원 특성이 나타나지 않음을 알 수 있었다. 실험 2에서는 차동증폭기의...2025.01.21
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성 및 제어2025.11.181. 역포화 전류(Reverse Saturation Current) 역포화 전류 I0는 pn 접합에서 전자와 정공이 이동할 때 발생하는 매우 작은 값입니다. 소수 캐리어의 농도를 증가시키면 I0가 증가하며, 이는 접합 주변의 전자-정공 쌍(EHP) 생성률이 I0를 결정하기 때문입니다. 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수 캐리어를 도입하여 I0를 증가시킬 수 있습니다. 2. 컬렉터 전류(Collector Current) 제어 p-n-p 트랜지스터에서 VEB에 순방향 바이어스를 적용하고 VCB에 역방향 바이어스를 적용하면 에미...2025.11.18
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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물리전자2 과제4: Zener 효과 및 다이오드 특성2025.11.181. Zener 효과 (Zener Effect) 역방향 바이어스 상태에서 p측의 원자가띠가 n측의 전도띠보다 높아져 페르미 준위 차이가 발생한다. 외부 전압 적용 시 p측 원자가띠의 전자가 n측 전도띠로 이동하여 역방향 전류가 흐른다. 이 현상을 Zener 효과라 하며, 전자 터널링이 효과적으로 일어나려면 천이 영역이 좁아야 하므로 양쪽 모두 높은 도핑 수준이 필요하다. 상대적으로 낮은 전압에서 발생한다. 2. 충격 이온화 및 Avalanche 붕괴 (Impact Ionization & Avalanche Breakdown) 역방향 ...2025.11.18
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