총 142개
-
전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
-
실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
-
전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
-
다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
-
[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_결과레포트_A+2025.01.291. 차동 증폭기 기초 실험 이번 실험은 차동 증폭기 기초 실험으로써 전에 배운 전류 거울을 사용하여 전류를 MOSFET의 W/L의 비율로 흐르게 하고, 2개의 common source를 대칭으로 사용하여 공통 모드 입력을 인가해준다. 이로써 바이어스를 I/2로 잡아줄 수 있게 된다. 실험을 진행하면서 오실로스코프 프로브가 불안정하여 선을 잡고 진행하여야 출력이 잘 나오는 현상이 발생하여 어려움을 겪었다. 또한 클리핑이 일어나는 지점을 찾을 때, 출력에 클리핑이 잘 일어나는 지점을 찾기 위해 입력 전압을 400mVpp까지 올리게 되...2025.01.29
-
실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 증폭기의 전압 이득과 대역폭의 곱이 일정한 관계가 있음을 이해하고자 한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 게이트-소스 커패시턴스와 게이트...2025.04.28
-
실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
-
전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. 바이어스 회로 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭...2025.01.13
-
실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 실험 16에서 수행한 '정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 수오스 증폭기(common source amplifier) 회로'를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 하였다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전압 이득 측정 실험 절차 3번에서는 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 ...2025.04.28
6 / 15
